致真存储(北京)科技有限公司孙慧岩获国家专利权
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龙图腾网获悉致真存储(北京)科技有限公司申请的专利一种柔性磁存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117234B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210941897.2，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种柔性磁存储器及其制备方法是由孙慧岩;秦颖超;商显涛;卢世阳;刘宏喜;曹凯华;王戈飞设计研发完成，并于2022-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种柔性磁存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种柔性磁存储器及其制备方法，涉及电子领域，复合式柔性衬底层，所述复合式衬底层自下而上，包括：第一透明聚酰亚胺层、第一氧化硅层、第二透明聚酰亚胺层、氮化硅层以及第二氧化硅层。可见，通过使用厚度更大以及密封性更好的复合式柔性衬底层代替现有技术中柔性衬底层，可以增强柔性衬底层的可靠性，进而提升柔性磁存储器件的可靠性。这样，第一方面，由于引入的复合式柔性衬底层为叠层结构，使其抗应力强度更大，进而提升柔性磁存储器件的抗应力能力。第二方面，由于引入密封性更好的结构层，使复合式柔性衬底层抗水氧侵蚀能力更强，进而提升柔性磁存储器件的可靠性。
本发明授权一种柔性磁存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种柔性磁存储器，其特征在于，所述磁存储器包括： 复合式柔性衬底层以及设置在所述复合式柔性衬底层的磁隧道结阵列，所述复合式柔性衬底层自下而上，包括：第一透明聚酰亚胺层、第一氧化硅层、第二透明聚酰亚胺层、氮化硅层以及第二氧化硅层； 所述第二氧化硅层上方设置有第一放置区、第二放置区以及弯折区，所述弯折区设置在所述第一放置区以及所述第二放置区之间，用于实现所述柔性磁存储器弯折。
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