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龙图腾网获悉昆明物理研究所申请的专利一种Bi₂Te₃/PbS量子点杂化光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411185B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210942569.4，技术领域涉及：H10K30/35；该发明授权一种Bi₂Te₃/PbS量子点杂化光电探测器及其制备方法是由余黎静;唐利斌;田品;郝群;钟和甫;左文彬;岳彪;王海澎;姬玉龙;李红福;魏虹;普跃升;钟昇佑;毛文彪设计研发完成，并于2022-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Bi₂Te₃/PbS量子点杂化光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种Bi2Te3PbS量子点杂化光电探测器及其制备方法，探测器包括衬底、ITO透明电极层形成于所述衬底上；PCBM功能层，形成于ITO透明电极层上；PbS胶体量子点，形成于PCBM功能层上；碲化铋（Bi2Te3）电荷传输层，形成于PbS胶体量子点上；Al电极，形成于Bi2Te3电荷传输层上。该探测器的制备方法中，PCBM功能层通过旋涂的方法实现，PbS胶体量子点薄膜通过多次旋涂和配体交换的方式实现，碲化铋（Bi2Te3）通过磁控溅射的方法生长，Al电极层通过真空蒸镀的方法实现。本发明公布的器件结构为垂直型，本发明利用PbS胶体量子点薄膜层的高吸收和Bi2Te3薄膜的高载流子迁移率，二者的结合有利于光生载流子的收集和载流子的快速传输，从而有效的提升器件的响应时间和性能。

本发明授权一种Bi₂Te₃/PbS量子点杂化光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Bi2Te3PbS量子点杂化光电探测器制备方法，包括以下步骤： 步骤1，已制备ITO透明电极的石英衬底清洗； 步骤2，将PCBM以100mgml的浓度充分溶解到三氯甲烷中，在清洗好的ITO衬底上，旋涂一层PCBM溶液； 旋涂转速2000-2500rpm，旋涂时间为25-35s； 步骤3，在旋涂完PCBM的衬底上，旋涂PbS量子点，PbS量子点的溶剂为正辛烷，浓度为30mgmL；旋涂PbS量子点8-10层，每旋涂完一层量子点，进行TBAI配体交换，交换时间为60s，交换完后用甲醇进行清洗； 每层旋涂转速为2000-2500rpm，旋涂时间为为25-35s； 步骤4，在PbS量子点薄膜上磁控溅射一层Bi2Te3薄膜，溅射在室温下进行，溅射功率为150-200W、Ar流量为60-100sccm，溅射压强为3-10Pa，而溅射时间选择1-5s； 步骤5，Bi2Te3薄膜上镀膜生长一层Al电极。

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