中国电子科技集团公司第十三研究所史艳磊获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利一种化合物低温连续合成装置及合成方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115869853B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210938160.5,技术领域涉及:B01J3/00;该发明授权一种化合物低温连续合成装置及合成方法是由史艳磊;孙聂枫;王书杰;刘峥;付莉杰;徐成彦;秦敬凯;邵会民;王阳;李晓岚;刘惠生;张晓丹;张鑫;李亚旗;赵红飞;康永;谷伟侠;吴中超;吴畏;高鹏;王赫设计研发完成,并于2022-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种化合物低温连续合成装置及合成方法在说明书摘要公布了:一种化合物低温连续合成装置及合成方法,属于化合物半导体技术领域,所述装置包括恒温腔、旋转飞轮系统、气源供气系统、金属滴液系统,所述方法包括:将合成所需的材料分别放置在金属滴液系统和气源供气系统中,将恒温腔升温并保持,将气氛元素注入恒温腔,启动旋转飞轮系统,加热金属滴液系统并将金属液滴注入到恒温腔,实现化合物的合成。本发明的合成温度远低于化合物的熔点温度,降低了化合物与容器的接触沾污,合成纯度高、设备制造难度低,气源损失少,可实现化合物多晶材料的高纯、低成本的合成。
本发明授权一种化合物低温连续合成装置及合成方法在权利要求书中公布了:1.一种化合物低温连续合成装置,其特征在于,所述装置包括恒温腔、旋转飞轮系统、气源供气系统、金属滴液系统; 所述恒温腔包括恒温密闭腔(1-1)、恒温腔加热器(1-2)及保温层(1-3); 所述旋转飞轮系统包括飞轮(2-1)和连接飞轮(2-1)的驱动装置(2-2),所述飞轮(2-1)呈碗状,垂直设置在保温层(1-3)内,飞轮(2-1)的边缘设置带弯曲的挡板(2-3); 所述气源供气系统包括气源泡(3-1)、气源加热器(3-2)和气源供给管道(3-3),所述气源供给管道一端连接气源泡(3-1),另一端在保温层内设置出口(3-4); 所述金属滴液系统包括金属液加热器(4-1)、金属液滴液桶(4-2)、金属液滴液嘴(4-3)、连接杆(4-7),所述金属滴液系统通过连接杆(4-7)定位在恒温密闭腔(1-1)内壁上,所述金属液滴液嘴(4-3)对准飞轮边缘的挡板(2-3); 所述金属滴液系统还包括金属液推进机构,所述金属液推进机构包括推进电机(4-4)、连接推进电机(4-4)的推进杆(4-5)、设置在金属液滴液桶(4-2)内连接推进杆(4-5)的推进头(4-6)。
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