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龙图腾网获悉苏州吴夕江科技有限公司申请的专利一种HfO₂基铁电薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207111B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210733885.0，技术领域涉及：H10D64/68；该发明授权一种HfO₂基铁电薄膜及其制备方法是由蒋然;刘颖巧;孙立莹;陆云龙;黄季甫;吴夕;黄强;孟雨;蒋成霖设计研发完成，并于2022-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种HfO₂基铁电薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种HfO2基铁电薄膜，包括衬底层，衬底层的上表面从下到上依次设置有底电极层、第一HfO2基薄膜层、HfSe2散片层、第二HfO2基薄膜层和顶电极层，本发明还提供了上述HfO2基铁电薄膜的制备方法，与现有技术相比，本发明具有如下优点：本发明通过将二维HfSe2嵌入层界面固定氧空位，规律晶格错位引入非对称性铁电相核，显著提高HfO2铁电薄膜的极化强度，具体表现为将HfO2铁电薄膜的极化值提高至接近于理论值。

本发明授权一种HfO₂基铁电薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种HfO2基铁电薄膜，其特征在于，包括衬底层1，所述衬底层1的上表面从下到 上依次设置有底电极层2、第一HfO2基薄膜层3、HfSe2散片层4、第二HfO2基薄膜层5 和顶电极层6，所述HfO2基铁电薄膜的制备方法具体包括如下步骤：S1、预先对衬底层1进行清洗； S2、在步骤S1清洗后的衬底层1上沉积底电极层2； S3、在步骤S2中沉积的底电极层2上沉积第一HfO2基薄膜层3； S4、在步骤S3中沉积的第一HfO2基薄膜层3上覆盖HfSe2散片层4； S5、在步骤S4中的覆盖的HfSe2散片层4上沉积第二HfO2基薄膜层5； S6、对步骤S5中沉积的第二HfO2基薄膜层5表面进行退火处理； S7、在步骤S6中经退火处理后的第二HfO2基薄膜层5上沉积顶电极层6得HfO2基铁电薄膜； 所述步骤S4中，HfSe2单层散片的制备方法如下：将化学气相传输方法合成的块状HfSe2进行机械剥离，通过标准的机械剥离HfSe2薄片，具体步骤为：片状的HfSe2并以丙酮丙醇浸泡的方式进行清洗，然后在氮气环境下在O2和H2O3ppm手套箱中使用低残留的热脱模带进行脱离； 所述步骤S6中，退火处理具体包括如下步骤：在氮气保护气氛下以5℃min的升温速率加热到150℃后保温5min、以3℃min的升温速率加热到250℃后保温5min、以23℃min的升温速率加热到400℃后保温5min、以10℃min的升温速率加热到450℃后保温5min，最后再以10℃min的升温速率加热到800℃并保温2min，最后冷却至室温。

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