浙江大学魏兴昌获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种屏蔽罩内电子器件的辐射源建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115236411B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210728750.5，技术领域涉及：G01R29/08；该发明授权一种屏蔽罩内电子器件的辐射源建模方法是由魏兴昌设计研发完成，并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种屏蔽罩内电子器件的辐射源建模方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种屏蔽罩内电子器件的辐射源建模方法，属于构建电磁辐射源的等效模型领域。该建模方法将结构未知的真实辐射源电子器件部件等等效为虚拟的电磁偶极子阵列，利用偶极子模拟屏蔽罩内真实辐射源对其周围元件的电磁耦合。首先利用无屏蔽罩时真实源的辐射电磁场计算偶极子的位置和初始辐射强度偶极矩，然后利用有屏蔽罩时真实源的泄露场调整偶极子的辐射强度，最后，将偶极子的位置和最终辐射强度、屏蔽罩带入全波电磁仿真模型中，计算偶极子与周围元件的耦合电压功率，该耦合电压功率即为真实源在屏蔽罩存在时对其周围元件的耦合电压功率。本发明的建模方法解决了传统偶极子方法无法准确预测屏蔽罩内电磁耦合的难题。
本发明授权一种屏蔽罩内电子器件的辐射源建模方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽罩内电子器件的辐射源建模方法，其特征在于，包括： 将屏蔽罩内电子器件的辐射源等效为虚拟的电磁偶极子阵列，基于偶极子辐射场构建等效模型； 利用无屏蔽罩时真实辐射源的辐射电磁场，计算得到偶极子的位置和初始偶极矩； 固定偶极子的位置和数量，利用有屏蔽罩时真实辐射源的泄露场，调整屏蔽罩内偶极子模型的初始偶极矩，得到偶极子的最终偶极矩，包括：根据所述的偶极子的位置和初始偶极矩，建立虚拟屏蔽罩+偶极子阵列的仿真模型，所述的虚拟屏蔽罩与真实屏蔽罩形状、大小相同；扫描有屏蔽罩时真实辐射源的真实外部泄露场，将真实外部泄露场作为虚拟屏蔽罩+偶极子阵列的仿真模型的仿真外部泄露场，反推虚拟偶极子的最终偶极矩； 将偶极子的位置、最终偶极矩、屏蔽罩带入全波电磁仿真模型中，计算偶极子阵列与屏蔽罩内外元件的耦合电压或功率，所述的耦合电压功率即为真实辐射源在屏蔽罩存在时对其周围元件的耦合电压或功率。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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