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龙图腾网获悉南京信息工程大学申请的专利一种基于固相转移有机传输层的倒置型QLEDs及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241402B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210727983.3，技术领域涉及：H10K71/10；该发明授权一种基于固相转移有机传输层的倒置型QLEDs及其制备方法与应用是由潘江涌;黄昱凌;汪丽茜;毛磊设计研发完成，并于2022-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于固相转移有机传输层的倒置型QLEDs及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于固相转移有机传输层的倒置型QLEDs及其制备方法与应用，属于发光二极管制备技术领域，自下而上依次包括ITO导电玻璃、Zn1‑xMgxO电子传输层、量子点发光层、基于固相转移的有机传输层、空穴注入层和金属阳极。所述制备方法包括以下步骤：分别采用去清洁剂、去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗ITO导电玻璃；将清洗后的ITO导电玻璃烘干，进行紫外臭氧处理；在处理过的ITO导电玻璃上旋涂Zn1‑ xMgxO纳米颗粒溶液，退火；取量子点溶液旋涂到所得物上，退火；利用固相转移方法在所得物上沉积有机传输层，退火；在所得物上旋涂PEDOT:PSS空穴注入层，退火；在所得物上蒸镀金属阳极。

本发明授权一种基于固相转移有机传输层的倒置型QLEDs及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种基于固相转移有机传输层的倒置型QLEDs的制备方法，其特征在于，方法包括以下步骤： 分别用清洗剂、去离子水、丙酮和异丙醇清洗ITO导电玻璃、石英玻璃片和结晶皿，清洗时间为20-30min，清洗温度为20-40℃； 用氮气氩气枪吹干表面的溶剂，然后，利用紫外-臭氧清洗机对ITO导电玻璃、石英玻璃片和结晶皿处理5-30min； 在手套箱中，取5-100μL，浓度为5-50mgmL的Zn1-xMgxO纳米颗粒溶液，旋涂于洁净的ITO导电玻璃上，转速为1000-5000rpm，时间为20-50s,再进行退火，温度为60-100℃，时间为1-30min，得到第一基底； 取5-100μl，浓度为5-40mgmL的量子点溶液，旋涂于第一基底上，转速为1000-5000rpm，时间为20-50s，再进行退火，温度为80～120℃，时间为1-30min，得到第二基底； 将第二基底从手套箱中取出，利用固相转移法沉积有机传输层，得到ITOZn1-xMgxO量子点有机传输层结构； 所述利用固相转移法沉积有机传输层的方法包括以下步骤： 在洁净的石英玻璃片基底上旋涂质量分数为1-90％的聚二烯丙基二甲基氯化铵水溶液，转速为1000～6000rpm，时间为10～120s，随后进行退火，退火温度为80～120℃，时间为1-30min，退火后形成中间层薄膜； 在得到的覆盖有聚二烯丙基二甲基氯化铵膜的石英玻璃基底上旋涂所需的有机传输层溶液，退火后得到所需转移的有机传输层膜的基底； 将得到的有机传输层膜的基底放置于干净的无尘布上，将玻璃棒与基底覆膜一面成倾斜角，轻刮去石英玻璃基底四边覆盖的膜，使有机传输层膜能顺利剥离，用氮气枪轻轻吹掉表面残余的碎屑； 在倾斜的结晶皿中放置一块洁净的石英片，然后将覆有有机传输层的石英玻璃基底放置在石英片的旁边，避免直接接触结晶皿的内壁；然后用注射泵向结晶皿内注水，注水速度为1-300mLmin，使得有机传输层薄膜得以剥离，最终完全脱离基底并漂浮于水面之上； 从手套箱中取出覆有电子传输层和量子点层的ITO基底，对准漂浮的有机传输层膜，迅速将其粘起，并用氮气氩气枪除去有机传输层膜表面的水珠，随后送至手套箱中进行退火，退火温度为60～150℃，退火时间为1-30min； 在ITOZn1-xMgxO量子点有机传输层结构上旋涂5-100μL的PEDOT:PSS与异丙醇的混合溶液作为空穴注入层，随后退火，得到第三基底； 在第三基底上蒸镀厚度为100-200nm的铝或银电极，最终得到倒置型QLEDs。

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