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电子科技大学唐樟春获国家专利权

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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种考虑碳膜电阻器退化初值的可靠性评估方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115186445B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210678382.8,技术领域涉及:G06F30/20;该发明授权一种考虑碳膜电阻器退化初值的可靠性评估方法是由唐樟春;岳涧洲;夏艳君;植良蕊;周向成;刘盼设计研发完成,并于2022-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。

一种考虑碳膜电阻器退化初值的可靠性评估方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种考虑碳膜电阻器退化初值的可靠性评估方法,碳膜电阻器的可靠性分析领域,尤其针对碳膜电阻的伪失效寿命计算。将退化初始值的随机性引入到传统退化轨迹模型里面,并且计算样本退化数据的拟合残差平方和,制定择优准则令拟合残差平方和最小为最优退化轨迹模型,随后求出该退化轨迹模型的伪失效寿命,提升了后续可靠性分析的估计精度。

本发明授权一种考虑碳膜电阻器退化初值的可靠性评估方法在权利要求书中公布了:1.一种考虑碳膜电阻器退化初值的可靠性评估方法,该方法包含如下: 步骤1:设定碳膜电阻器的正常环境作用为温度应力,并进行加速退化试验测量电阻值的变化数据即性能退化数据,每组加速应力水平下有i个电阻器测试样本,并假定失效阈值为l; 步骤2:建立考虑随机初值的四种退化轨迹模型,具体步骤如下: 步骤2.1:对碳膜电阻器的退化初始值考虑随机性,并根据退化数据建立退化轨迹模型如下: 1线性退化:yi=αit+βi 2对数退化:yi=αilnt+βi 3指数退化:yi=βiexpαit 4幂律退化: 式子中,yi为产品的碳膜电阻器性能退化指标,i为碳膜电阻器试验样本个数,t为试验时间,αi为退化模型参数,βi为退化初始值,设服从正态分布βi~Nμ,σ2;于是yi的密度函数分别对应表示为: 1 2 3 4 其中,σ表示退化初值的方差,μ表示化初值的均值; 假设电阻器的失效阈值为l,当性能yi≥l时表示碳膜电阻器失效,则碳膜电阻器的特征寿命T为退化过程第一次达到l的时间,对应为: 1 2 3 4 特征寿命T同样服从正态分布,则均值为平均寿命,将其作为伪失效寿命值; 步骤3:退化轨迹模型的实时选择; 计算各个样本的SSE均值: 上式中:hti表示每个试验样本在第i个时间点的真实退化量,h0ti表示将退化轨迹模型对退化数据进行拟合得到未知参数后,再对应hti检测时间的拟合退化量; 计算出的碳膜电阻器的伪失效寿命,可靠度Rt为: 其中,x为伪失效寿命值; 计算拟合优度Q, Q=2k-2lnL 其中,lnL表示对数似然函数,L为应力水平个数,μ为漂移系数,ξ为扩散系数,yk为第k个应力水平下测量的性能退化量; 将SSE,Rt,Q进行归一化后,加权相加,相加结果最大值对应的退化轨迹模型,作为实时计算碳膜电阻器可靠性的模型。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学,其通讯地址为:611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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