北京航空航天大学姜丽伟获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种基于嵌套型四极矩走线构型的磁场对消电加热膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115915511B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210644596.3，技术领域涉及：H05B3/34；该发明授权一种基于嵌套型四极矩走线构型的磁场对消电加热膜是由姜丽伟;邵琪;全伟;雷旭升设计研发完成，并于2022-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于嵌套型四极矩走线构型的磁场对消电加热膜在说明书摘要公布了：一种基于嵌套型四极矩走线构型的磁场对消电加热膜，用于原子陀螺仪、原子磁强计等量子传感器的无磁电加热系统，通过建立嵌套型等效四极矩走线构型，抑制量子传感器温控系统中电流驱动加热导体引入的干扰磁场，主要解决了随着量子传感器体积逐步变小，温控器件产生干扰磁场过大难以适应小型化、高集成度的难题。并且随着加热区域的增大以及现有加工工艺层间对准精度的提升，本发明的一种基于嵌套型四极矩走线构型的磁场对消电加热膜磁场抑制性能能够进一步提升。最终在相同条件下，实现了小于10nT的磁场抑制效果，优于现有技术水平。
本发明授权一种基于嵌套型四极矩走线构型的磁场对消电加热膜在权利要求书中公布了：1.一种基于嵌套型四极矩走线构型的磁场对消电加热膜，其特征在于，包括等效四极矩，所述等效四极矩中包括两个等效正极矩和两个等效负极矩，所述等效正极矩是电流方向配置为+，-，-，+的第一类走线构型四极矩所述等效负极矩是电流方向配置为-，+，+，-的第二类走线构型四极矩所述等效四极矩的走线构型为或 使用所述等效四极矩的走线构型所形成的磁场对消电加热膜能够实现小于10nT的磁场抑制效果。
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