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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利基于SRAM阵列的多位同或运算的电路结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114898789B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210625161.4，技术领域涉及：G11C11/413；该发明授权基于SRAM阵列的多位同或运算的电路结构及方法是由戴成虎;余克锋;高珊;彭春雨;赵强;卢文娟;郝礼才;黎轩;刘立;蔺智挺;吴秀龙设计研发完成，并于2022-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于SRAM阵列的多位同或运算的电路结构及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及基于SRAM阵列的多位同或运算的电路结构及方法。基于SRAM阵列的多位同或运算的电路结构包括N×N个SRAM存储单元，呈阵列分布，位于同一列的SRAM存储单元，所有的晶体管T5的源极与位线BL电连接，所有的晶体管T6的源极与位线BLB电连接；位于同一行的SRAM存储单元，所有的SRAM存储单元的第一行8T‑SRAM单元和第二行8T‑SRAM单元共用一个重置晶体管；所有的SRAM存储单元的第三行7T‑SRAM单元共用一个复写辅助单元。本发明能够正确完成数字域多位同或运算，相对于模拟域的计算，数字域计算具有更高的准确度，并且不需要较为复杂的AD电路，减少电路的面积问题和电路的复杂性。

本发明授权基于SRAM阵列的多位同或运算的电路结构及方法在权利要求书中公布了：1.基于SRAM阵列的多位同或运算的电路结构，其包括： N×N个SRAM存储单元，呈阵列分布，所述SRAM存储单元包括三行SRAM单元，其中： 第一行8T-SRAM单元，晶体管T5和T6的栅极与字线WL电连接，节点Q与晶体管T7的栅极电连接，节点QB与晶体管T8的栅极电连接；晶体管T7和T8的源极与计算字线CWL电连接，晶体管T7的漏极电连接位线CBL，晶体管T8的漏极与位线CBLB电连接，重置晶体管T9的源极和漏极分别连接位线CBL和CBLB，重置晶体管T9的栅极电连接重置信号Reset； 第二行8T-SRAM单元，晶体管T5和T6的栅极与字线WL电连接，节点Q与晶体管T7的栅极电连接，节点QB与晶体管T8的栅极电连接；晶体管T7和T8的源极电连接与同或运算结果输出口节点OUT电连接，晶体管T7的漏极电连接第一行的位线CBL，晶体管T8的漏极电连接第一行的位线CBLB； 第三行的7T-SRAM单元，晶体管T5和T6的栅极与字线WL电连接，晶体管T7的栅极与写字线WWL电连接，T7的源极与节点Q电连接，T7的漏极与节点OUT电连接，晶体管T1和T2的源极与复写辅助单元电连接； 位于同一列的SRAM存储单元，所有的晶体管T5的源极与位线BL电连接，所有的晶体管T6的源极与位线BLB电连接； 位于同一行的SRAM存储单元，所有的SRAM存储单元的第一行8T-SRAM单元和第二行8T-SRAM单元共用一个重置晶体管T9；所有的SRAM存储单元的第三行7T-SRAM单元共用一个复写辅助单元。

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