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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种基于8T-SRAM单元的电路结构、芯片和模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115035931B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210564062.X，技术领域涉及：G11C11/418；该发明授权一种基于8T-SRAM单元的电路结构、芯片和模块是由戴成虎;刘海涛;彭春雨;赵强;卢文娟;郝礼才;刘立;蔺智挺;吴秀龙;黎轩;高珊设计研发完成，并于2022-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于8T-SRAM单元的电路结构、芯片和模块在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于8T‑SRAM单元的电路结构、芯片和模块。8T‑SRAM单元包括：NMOS晶体管N1～6；PMOS晶体管P1～2。P1、P2和N1、N2交叉耦合，对存储节点Q、QB的数据进行锁存，P1的源极与P2源极电连接到VDD，开启存储节点Q、QB节点对电源通路，N1的源极与N2的源极连接到VSS，开启存储节点Q、QB节点对地通路。存储节点Q与QB通过晶体管N4、N3分别与位线BL和BLB相连，晶体管N3、N4由字线WL控制，字线LCM、RCM通过晶体管N5、N6分别与位线SLB和SL相连，晶体管N5、N6分别由存储节点Q与QB控制。本发明能实现在存储器内部完成比较操作，提高搜索效率。

本发明授权一种基于8T-SRAM单元的电路结构、芯片和模块在权利要求书中公布了：1.一种8T-SRAM单元，其特征在于，其包括： NMOS晶体管N1； NMOS晶体管N2，N2的栅极与N1的漏极电连接，N2的源极与N1的源极电连接，N2的漏极与N1的栅极电连接； NMOS晶体管N3，N3的漏极与N1的漏极、N2的栅极电连接，N3的栅极与字线WL电连接，N3的源极与位线BLB电连接； NMOS晶体管N4，N4的漏极与N2的漏极、N1的栅极电连接，N4的栅极与字线WL电连接，N4的源极与位线BL电连接； NMOS晶体管N5，N5的栅极与N4的漏极、N2的漏极、N1的栅极电连接，N5的源极与位线SLB电连接，N5的漏极与字线LCM电连接； NMOS晶体管N6，N6的栅极与N3的漏极、N1的漏极、N2的栅极电连接，N6的源极与位线SL电连接，N6的漏极与字线RCM电连接； PMOS晶体管P1，P1的栅极与N1的栅极、N4的漏极、N5的栅极电连接，P1的漏极与N1的漏极，N3的漏极，N6的栅极、N2的栅极电连接，P1的源极与P2的源极电连接； PMOS晶体管P2，P2的栅极与N2的栅极、N3的漏极、N6的栅极电连接，P2的漏极与N2的漏极，N4的漏极，N5的栅极、N1的栅极电连接，P2的源极与P1的源极电连接； 晶体管P1、P2和晶体管N1、N2交叉耦合连接，对存储节点Q、QB的数据进行锁存，晶体管P1的源极与P2源极电连接到VDD，开启存储节点Q、QB节点对电源通路，晶体管N1的源极与N2的源极连接到VSS，开启存储节点Q、QB节点对地通路； 存储节点Q与QB通过晶体管N4、N3分别与位线BL和BLB相连，晶体管N3、N4由字线WL控制，字线LCM、RCM通过晶体管N5、N6分别与位线SLB和SL相连，晶体管N5、N6分别由存储节点Q与QB控制。

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