长江先进存储产业创新中心有限责任公司刘峻获国家专利权
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龙图腾网获悉长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利存储器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975513B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210530705.9，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权存储器及其制作方法是由刘峻;张恒;刘国强设计研发完成，并于2022-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种存储器及其制作方法，所述方法包括：形成层叠设置的多个第一地址线、多个第一相变存储单元及多个第二地址环；第一地址线沿第一方向延伸，第二地址环沿垂直于第一方向的第二方向延伸，第一相变存储单元与第一方向以及第二方向均垂直；在第二地址环上形成多个均沿第二方向延伸的第二相变存储单元环；第二地址环、第二相变存储单元环均具有在第二方向上相对设置的第一端以及第二端；同时去除第二地址环、第二相变存储单元环的第一端以及第二端，形成多个第二地址线、多个第二相变存储单元线；利用第二相变存储单元线形成多个与第一方向以及第二方向均垂直的第二相变存储单元。
本发明授权存储器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括： 形成层叠设置的多个第一地址线、多个第一相变存储单元及多个第二地址环；所述第一地址线沿第一方向延伸，所述第二地址环沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸，所述第一相变存储单元与所述第一方向以及第二方向均垂直； 在所述第二地址环上形成第六地址环；所述第六地址环沿所述第二方向延伸； 在所述第六地址环上形成多个均沿所述第二方向延伸的第二相变存储单元环；所述第二地址环、所述第六地址环、所述第二相变存储单元环均具有在所述第二方向上相对设置的第一端以及第二端； 在所述第二相变存储单元环上形成第一掩膜层； 利用所述第一掩膜层进行第一刻蚀，同时去除所述第二地址环、所述第六地址环、所述第二相变存储单元环的第一端以及第二端，形成多个第二地址线、多个第六地址线、多个第二相变存储单元线； 利用所述第二相变存储单元线形成多个与所述第一方向以及第二方向均垂直的第二相变存储单元。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江先进存储产业创新中心有限责任公司，其通讯地址为：430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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