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龙图腾网获悉宁波大学申请的专利一种低频可调谐的双频去耦天线结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114914690B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210519398.4，技术领域涉及：H01Q1/52；该发明授权一种低频可调谐的双频去耦天线结构是由符宇航;陈子航;刘珂炫;吴凯晟;陈益;华昌洲设计研发完成，并于2022-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低频可调谐的双频去耦天线结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低频可调谐的双频去耦天线结构，包括介质基板、一对F型天线、第一金属地、去耦结构和匹配网络，匹配网络将一对F型天线的输出阻抗在高频段和低频段内均匹配到50欧姆，去耦结构使用中和线结构、缺陷地结构和地板分支来实现，由第七矩形金属块、第八矩形金属块和第九矩形金属块构成的中和线结构实现了对于高频段的去耦，缺陷地结构以及由第十矩形金属块、第十一矩形金属块和第十二矩形金属块和第十三矩形金属块构成的地板分支实现低频段去耦，通过改变第一矩形槽内的可变电容的电容值，使得在低频段有可调谐的功能；优点是能够实现双频段的去耦，结构相对简单，并且能够满足低频段可调谐需求，在实际应用中具有较高的灵活性。

本发明授权一种低频可调谐的双频去耦天线结构在权利要求书中公布了：1.一种低频可调谐的双频去耦天线结构，包括介质基板、一对天线、第一金属地、去耦结构和匹配网络，所述的介质基板为长方体形状，所述的介质基板的材质为FR4、相对介电常数为4.4、损耗正切值为0.02，所述的介质基板的长为80mm、宽为60mm、高为1.6mm，所述的介质基板的长沿前后方向，宽沿左右方向，其特征在于所述的一对天线为一对F型天线，所述的去耦结构使用中和线结构、缺陷地结构和地板分支来实现，能够实现高频段去耦、低频双频去耦以及低频段可调谐，所述的匹配网络用于将一对F型天线的输出阻抗在高频段和低频段内均匹配到50欧姆；所述的第一金属地附着在所述的介质基板的上表面，所述的第一金属地的左端面与所述的介质基板的左端面齐平，所述的第一金属地的右端面与所述的介质基板的右端面齐平，所述的第一金属地的后端面与所述的介质基板的后端面齐平，所述的第一金属地的前端面与所述的第一金属地的后端面之间的距离为36mm； 将一对F型天线称为第一F型天线和第二F型天线，所述的第一F型天线位于所述的第二F型天线的左侧，所述的第一F型天线和所述的第二F型天线分别设置在所述的介质基板的上表面，且位于所述的第一金属地的前侧，两者相对于所述的介质基板沿前后方向的对称线呈左右对称，所述的第一F型天线包括第一矩形金属块、第二矩形金属块、第三矩形金属块和第一端口，所述的第一矩形金属块、所述的第二矩形金属块和所述的第三矩形金属块均附着在所述的介质基板的上表面，所述的第一矩形金属块的前端面与所述的介质基板的前端面平行，所述的第一矩形金属块的前端面与所述的介质基板的前端面之间具有一段距离，所述的第二矩形金属块位于所述的第一矩形金属块的后侧，且两者之间具有一段距离，所述的第二矩形金属块平行于所述的第一矩形金属块，所述的第二矩形金属块沿左右方向的长度小于所述的第一矩形金属块沿左右方向的长度，所述的第二矩形金属块的右端面与所述的第一矩形金属块的右端面位于同一平面，所述的第三矩形金属块位于所述的第一矩形金属块和所述的第二矩形金属块的右侧，所述的第三矩形金属块的前端面与所述的第一矩形金属块的前端面齐平，所述的第三矩形金属块的左端面与所述的第一矩形金属块的右端面和所述的第二矩形金属块的右端面贴合连接，所述的第三矩形金属块的后端面与位于所述的第二矩形金属块的后端面所在平面的后侧，所述的第三矩形金属块的后端面与所述的第一金属地的前端面之间具有一段距离，所述的第三矩形金属块的右端面与所述的介质基板沿前后方向的对称线之间具有一段距离，所述的第一端口分别与所述的第三矩形金属块和所述的第一金属地连接，所述的第一端口通过探针实现，用于对所述的第一F型天线馈电，所述的第一矩形金属块沿左右方向的长度为10mm，沿前后方向的宽度为1mm，所述的第二矩形金属块沿左右方向的长度为5mm，沿前后方向的宽度为1mm，所述的第三矩形金属块沿前后方向的长度为20mm，沿左右方向的宽度为1mm，所述的第一矩形金属块的前端面与所述的介质基板的前端面所在平面之间的距离为19mm，所述的第一矩形金属块的后端面与所述的第二矩形金属块的前端面之间的距离为7mm，所述的第三矩形金属块的后端面与所述的第一金属地的前端面之间的距离为4mm；所述的第二F型天线包括第四矩形金属块、第五矩形金属块、第六矩形金属块和第二端口，所述的第四矩形金属块、所述的第五矩形金属块和所述的第六矩形金属块均附着在所述的介质基板的上表面，所述的第四矩形金属块的前端面与所述的第一矩形金属块的前端面位于同一平面，所述的第四矩形金属块与所述的第一矩形金属块相对于所述的介质基板沿前后方向的对称线呈左右对称，所述的第五矩形金属块位于所述的第四矩形金属块的后侧，所述的第五矩形金属块与所述的第四矩形金属块相对于所述的介质基板沿前后方向的对称线呈左右对称，所述的第六矩形金属块位于所述的第四矩形金属块和所述的第五矩形金属块的左侧，所述的第六矩形金属块的前端面与所述的第四矩形金属块的前端面齐平，所述的第六矩形金属块的右端面与所述的第四矩形金属块的左端面和所述的第五矩形金属块的左端面贴合连接，所述的第六矩形金属块与所述的第三矩形金属块相对于所述的介质基板沿前后方向的对称线呈左右对称，所述的第六矩形金属块的左端面与所述的第三矩形金属块的右端面之间的间距为2mm，所述的第二端口分别与所述的第六矩形金属块和所述的第一金属地连接，所述的第二端口通过探针实现，用于对所述的第二F型天线馈电； 所述的去耦结构包括第二金属地、可变电容、第七矩形金属块、第八矩形金属块、第九矩形金属块、第十矩形金属块、第十一矩形金属块、第十二矩形金属块和第十三矩形金属块，所述的第二金属地通过在第十四矩形金属块上开设第一矩形槽实现，所述的第十四矩形金属块附着在所述的介质基板的下表面上，所述的第十四矩形金属块的后端面与所述的介质基板的后端面齐平，所述的第十四矩形金属块的左端面与所述的介质基板的左端面齐平，所述的第十四矩形金属块的右端面与所述的介质基板的右端面齐平，第十四矩形金属块沿前后方向的长度为56mm，第一矩形槽的前端面与所述的第十四矩形金属块的前端面齐平，所述的第一矩形槽沿前后方向的长度为12mm，沿左右方向的宽度为1mm，所述的第一矩形槽沿前后方向的对称线与所述的第十四矩形金属块沿前后方向的对称线重合，所述的介质基板在所述的第一矩形槽处暴露出来，所述的可变电容设置在所述的第一矩形槽处，所述的可变电容分别与所述的第十四矩形金属块位于所述的第一矩形槽左侧的部分和右侧的部分连接，且其后端与所述的第一矩形槽后端面之间的距离为10mm，所述的第二金属地与所述的第一金属地通过上下贯穿所述的介质基板的多个金属化通孔连接，多个金属化通孔从左到右沿一行均匀间隔排布，所述的第七矩形金属块、所述的第八矩形金属块和所述的第九矩形金属块附着在所述的介质基板的上表面，所述的第七矩形金属块位于所述的第三矩形金属块的右侧，所述的第七矩形金属块的左端面与所述的第三矩形金属块的右端面平行，且两者之间的距离为0.2mm，所述的第七矩形金属块的后端面与所述的第一金属地的前端面连接其两者呈贴合状态，所述的第七矩形金属块沿前后方向的长度为15mm，沿左右方向的宽度为0.2mm，所述的第八矩形金属块位于所述的第六矩形金属块的左侧，所述的第八矩形金属块的右端面与所述的第六矩形金属块的右端面平行，且两者之间的距离为0.2mm，所述的第八矩形金属块的后端面与所述的第一金属地的前端面连接其两者呈贴合状态，所述的第八矩形金属块沿前后方向的长度为15mm，沿左右方向的宽度为0.2mm，所述的第九矩形金属块位于所述的第七矩形金属块和所述的第九矩形金属块之间，所述的第九矩形金属块的左端面与所述的第七矩形金属块的右端面连接且呈贴合状态，所述的第九矩形金属块的右端面与所述的第八矩形金属块的左端面连接且呈贴合状态，所述的第九矩形金属块的前端面与所述的第七矩形金属块的前端面位于同一平面，所述的第九矩形金属块沿左右方向的长度为1.2mm，沿前后方向的宽度为0.2mm，所述的第十矩形金属块、所述的第十一矩形金属块、所述的第十二矩形金属块和所述的第十三矩形金属块分别附着在所述的介质基板的下表面上，所述的第十矩形金属块的后端面与所述的第十四矩形金属块的前端面连接且两者呈贴合状态，所述的第十矩形金属块的右端面与所述的第一矩形槽的左端面齐平，所述的第十一矩形金属块位于所述的第十矩形金属块的左侧，所述的第十一矩形金属块的右端面与所述的第十矩形金属块的左端面连接且两者呈贴合状态，所述的第十一矩形金属块的前端面与所述的第十矩形金属块的前端面齐平，所述的第十矩形金属块沿前后方向的长度为10mm，沿左右方向的宽度为1mm，所述的第十一矩形金属块沿前后方向的宽度为1mm，沿左右方向的长度为2mm，所述的第十二矩形金属块的后端面与所述的第十四矩形金属块的前端面连接且两者呈贴合状态，所述的第十二矩形金属块的左端面与所述的第一矩形槽的右端面齐平，所述的第十三矩形金属块位于所述的第十二矩形金属块的右侧，所述的第十三矩形金属块的左端面与所述的第十二矩形金属块的右端面连接且两者呈贴合状态，所述的第十三矩形金属块的前端面与所述的第十二矩形金属块的前端面齐平，所述的第十二矩形金属块沿前后方向的长度为10mm，沿左右方向的宽度为1mm，所述的第十三矩形金属块沿前后方向的宽度为1mm，沿左右方向的长度为2mm； 所述的匹配网络包括设置在所述的第一F型天线和所述的第一端口之间的第一匹配电路以及设置在所述的第二F型天线和所述的第二端口之间的第二匹配电路，所述的第一匹配电路用于将所述的第一F型天线在高频段和低频段的输出阻抗匹配到50欧姆，所述的第二匹配电路用于将所述的第二F型天线在高频段和低频段的输出阻抗匹配到50欧姆。

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