华中科技大学高亮获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种光电探测器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899329B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210481430.4，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种光电探测器及其制作方法是由高亮;杨骏睿;鲁帅成;唐江设计研发完成，并于2022-05-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光电探测器及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种光电探测器及其制作方法，包括：在ITO玻璃衬底上制备胶体量子点薄膜；将制备好的胶体量子点薄膜倒扣于基底上，然后在背离胶体量子点薄膜的ITO玻璃衬底上施加设定的压力；通过加热装置对胶体量子点薄膜进行预设时长的均匀加温，以减小胶体量子点间间距。在本申请中，通过热压法，减小硫化铅胶体量子点间间距，可以提高迁移率，进而降低响应时间，提高响应速率，提高光电探测器的性能。
本发明授权一种光电探测器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种光电探测器的制作方法，其特征在于，包括： 在ITO玻璃衬底上，形成电子传输层； 在所述电子传输层上旋涂PbS量子点溶液，并进行固化处理，以制备PbS胶体量子点薄膜； 将制备好的PbS胶体量子点薄膜倒扣于基底上，然后在背离PbS胶体量子点薄膜的ITO玻璃衬底上施加设定的压力，同时通过加热装置对PbS胶体量子点薄膜进行预设时长的均匀加温，以减小PbS胶体量子点间间距； 在经过加压和温度处理的PbS胶体量子点薄膜上旋涂PbS-EDT得到空穴传输层； 在空穴传输层上蒸镀电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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