虎翅凌云集成电路制造有限责任公司王悦获国家专利权
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龙图腾网获悉虎翅凌云集成电路制造有限责任公司申请的专利磷化铟双异质结双极型晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864682B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210387714.7，技术领域涉及：H10D10/80；该发明授权磷化铟双异质结双极型晶体管是由王悦设计研发完成，并于2022-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本磷化铟双异质结双极型晶体管在说明书摘要公布了：本发明涉及一种磷化铟双异质结双极型晶体管，属于半导体器件技术领域。本发明公开的磷化铟双异质结双极型晶体管结构，在磷化铟衬底上采用应变铟砷磷过渡区消除了铟镓砷基区与磷化铟集电区之间的导带势垒，构建出无电子阻挡效应的双异质结双极型晶体管，提升了所述晶体管在频率、增益与击穿电压方面的电学性能。
本发明授权磷化铟双异质结双极型晶体管在权利要求书中公布了：1.一种双异质结双极型晶体管，其特征在于，包括： 单晶磷化铟衬底，由单晶半绝缘磷化铟材料形成； 亚集电区，设置在所述单晶磷化铟衬底之上，由N型III-V族半导体形成； 集电区，设置在所述亚集电区之上，由N型III-V族半导体形成； 基区，设置在所述集电区之上，由P型铟镓砷半导体形成； 发射区，设置在所述基区之上，由N型III-V族半导体形成； 欧姆接触层，设置在所述发射区之上，由N型III-V族半导体形成； 所述集电区采用三种N型III-V族半导体材料形成复合集电区，其材料组份按照铟镓砷层、应变铟砷磷层、磷化铟层的顺序依次设置，所述铟镓砷层临近所述基区，所述磷化铟层临近所述亚集电区，所述应变铟砷磷层设置在所述铟镓砷层与所述磷化铟层中间。
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