之江实验室刘炫志获国家专利权
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龙图腾网获悉之江实验室申请的专利一种基于三维DRAM内存控制器的访存性能提升方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114637467B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210231738.3，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权一种基于三维DRAM内存控制器的访存性能提升方法是由刘炫志;杨建国设计研发完成，并于2022-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于三维DRAM内存控制器的访存性能提升方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于三维DRAM内存控制器的访存性能提升方法，提出针对新型的大位宽三维DRAM的界面缓存机制和行命中处理机制；如果用户访存请求命中了已缓存于界面缓存器的数据，则该次访存可以直接由界面缓存器响应；如果用户访存请求未命中界面缓存但发生了行命中，则该次访存可以由内存控制器执行少量的DRAM存储阵列操作来响应；如果用户访存请求同时发生界面缓存缺失和行缺失，则该次访存可以由内存控制器执行常规的DRAM存储阵列操作来响应。本发明可以有效减少内存控制器对DRAM存储阵列的操作次数以及减少数据进出DRAM存储阵列的频率，从而降低运算单元对所需数据的访存延迟，提升访存性能并降低访存功耗。
本发明授权一种基于三维DRAM内存控制器的访存性能提升方法在权利要求书中公布了：1.一种基于三维DRAM内存控制器的访存性能提升方法，其特征在于，具体为：内存控制器在初始状态下接收到访存请求，判断该访存请求是写请求还是读请求，并根据判断结果分别通过界面缓存机制和行命中处理机制执行写请求处理流程或读请求处理流程； 所述界面缓存机制和行命中处理机制具体为；如果用户访存请求命中了已缓存于界面缓存器的数据，则该次访存直接由界面缓存器响应；如果用户访存请求未命中界面缓存但发生了行命中，则该次访存只需要内存控制器对DRAM存储阵列执行一条读指令或写指令来响应；如果用户访存请求同时发生界面缓存缺失和行缺失，则该次访存由内存控制器执行DRAM存储阵列操作来响应。
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