福建省晋华集成电路有限公司何新悦获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体存储器结构的处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639634B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210220490.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体存储器结构的处理方法是由何新悦;刘自豪;李臻设计研发完成，并于2022-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器结构的处理方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体存储器结构的处理方法，包括以下步骤：提供所述半导体存储器结构，所述半导体存储器结构包括：第一隔离结构，所述第一隔离结构内形成有多个分立的位线结构；第二隔离结构，位于所述第一隔离结构上方，且所述第二隔离结构内形成有多个分立的导电结构，且每一所述位线结构上方对应设置有一所述导电结构；对所述第二隔离结构表面进行清洗，以去除在形成所述半导体存储器结构的过程中残留在所述第二隔离结构表面的导电颗粒，所述清洗至少包括：进行热处理。
本发明授权半导体存储器结构的处理方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器结构的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：提供所述半导体存储器结构，所述半导体存储器结构包括： 第一隔离结构，所述第一隔离结构内形成有多个分立的位线结构； 第二隔离结构，位于所述第一隔离结构上方，且所述第二隔离结构内形成有多个分立的导电结构，且每一所述位线结构上方对应设置有一所述导电结构； 对所述第二隔离结构表面进行清洗，以去除在形成所述半导体存储器结构的过程中残留在所述第二隔离结构表面的导电颗粒，所述清洗至少包括： 进行热处理，所述热处理的气体环境为氮气，所述热处理的温度大于或等于400℃。
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