山东华光光电子股份有限公司赵凯迪获国家专利权
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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种具有GaN电流通道的GaAs基激光器外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566868B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210127574.X，技术领域涉及：H01S5/22；该发明授权一种具有GaN电流通道的GaAs基激光器外延片及其制备方法是由赵凯迪;张新;王朝旺设计研发完成，并于2022-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有GaN电流通道的GaAs基激光器外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有GaN电流通道的GaAs基激光器外延片及其制备方法。所述GaN电流通道埋设在该外延片中的Alx3Ga1‑x3As上波导层中。通过在上波导层中埋入GaN电流通道，将电流限制在GaN电流通道中实现电流约束，因为GaN材料禁带宽度大，对于长波长的光吸收很低，不会影响长波长激光器的激射，有效克服了GaN激光器存在长时间工作会导致功率衰减严重的问题。另外，由于GaN材料的偏振系数与AlGaAs材料不同，在上波导层中埋入GaN电流通道后，能够在GaNAlGaAs界面处形成一层正的极化电荷吸引自由电子形成补偿，与激光器的内建电场形成抵消，有利于空穴与电子在量子阱中的复合，提升激光器效率。
本发明授权一种具有GaN电流通道的GaAs基激光器外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有GaN电流通道的GaAs基激光器外延片，其特征在于，包括GaN电流通道，且该GaN电流通道埋设在所述外延片中的上波导层中；所述上波导层设置在衬底层上；所述衬底层从下到上依次包括：GaAs衬底、GaAs缓冲层、Alx1Ga1-x1AsN限制层、Alx2Ga1-x2As下波导层、Iny1Ga1-y1As量子阱层；所述上波导层覆盖在Iny1Ga1-y1As量子阱层上，所述上波导层上覆盖有Alx4Ga1-x4AsP限制层，所述Alx4Ga1-x4AsP限制层上覆盖有GaAs欧姆接触层；其中：0.3≤x1≤0.5，0.1≤x2≤0.3，0.1≤y1≤0.3，0.7≤x4≤0.9。
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