上海华力集成电路制造有限公司姜林鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利优化多层薄膜回刻高度负载的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496759B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210077102.8，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权优化多层薄膜回刻高度负载的方法是由姜林鹏;陆连;刘少雄;冯帅设计研发完成，并于2022-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本优化多层薄膜回刻高度负载的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种优化多层薄膜回刻高度负载的方法，提供衬底，衬底上形成有沟槽；形成覆盖在沟槽的表面内壁淀积形成的功能薄膜；在填充沟槽填充形成牺牲层；同步回刻蚀牺牲层和功能薄膜，被回刻蚀后的牺牲层上方的功能薄膜层暴露，使得沟槽内上端功能薄膜的上侧被刻蚀去除；去除被回刻蚀后的牺牲层；多次形成覆盖功能薄膜的另一层功能薄膜，每一次另一层功能薄膜形成后重复步骤填充牺牲层、回刻蚀牺牲层和功能薄膜以及去除回刻蚀后的牺牲层，在沟槽的内壁表面形成同一高度的多层功能薄膜。本发明采用在沟槽中填充牺牲层对多种填充材料进行逐层刻蚀，为多层薄膜在高深宽比深槽内的有效填充和构建工艺需求提供了解决办法。
本发明授权优化多层薄膜回刻高度负载的方法在权利要求书中公布了：1.一种优化多层薄膜回刻高度负载的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有沟槽； 步骤二、形成覆盖所述沟槽表面的功能薄膜； 步骤三、填充所述沟槽形成牺牲层； 步骤四、同步回刻蚀所述牺牲层和当前最外层功能薄膜，至预定深度，以通过控制所述牺牲层的回刻蚀深度来控制所述当前最外层功能薄膜的刻蚀深度，被回刻蚀后的所述牺牲层上方的所述功能薄膜层暴露，使得所述沟槽内上端所述当前最外层功能薄膜的上侧被刻蚀去除； 步骤五、去除被回刻蚀后的所述牺牲层； 步骤六、在完成前一层功能薄膜的步骤五之后，多次形成覆盖前一层所述功能薄膜的另一层功能薄膜，每一次另一层所述功能薄膜形成后均对新形成的另一层所述功能薄膜重复步骤三至步骤五，通过对每一次形成的另一层所述功能薄膜重复步骤四的刻蚀深度控制，在所述沟槽的内壁表面形成最终高度同一高度的多层所述功能薄膜。
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