华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司桂萌琦获国家专利权
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龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司申请的专利一种封装基板结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284236B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111623684.7，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权一种封装基板结构及其制备方法是由桂萌琦;方志丹;王启东;于中尧设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种封装基板结构及其制备方法在说明书摘要公布了：一种封装基板结构及其制备方法，其中，封装基板结构包括：复合功能层；芯片，位于所述复合功能层的一侧表面；位于所述芯片侧部周围的所述复合功能层上的若干分立的限位件，所述限位件包括：位于所述复合功能层一侧表面的焊盘；与所述焊盘背向所述复合功能层一侧的表面焊接在一起的限位部，所述限位部的横向特征尺寸大于或等于所述焊盘的横向特征尺寸。本发明提供的封装基板结构对芯片定位的精度较高。
本发明授权一种封装基板结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种封装基板结构，其特征在于，包括： 复合功能层； 芯片，位于所述复合功能层的一侧表面； 位于所述芯片侧部周围的所述复合功能层上的若干分立的限位件，所述限位件包括：位于所述复合功能层一侧表面的焊盘；与所述焊盘背向所述复合功能层一侧的表面焊接在一起的限位部，所述限位部的横向特征尺寸大于或等于所述焊盘的横向特征尺寸； 所述限位部为标准件。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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