浙江大学杭州国际科创中心董树荣获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利一种异质外延薄膜外延层的表面处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496746B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111483162.1，技术领域涉及：H01L21/18；该发明授权一种异质外延薄膜外延层的表面处理方法是由董树荣;庞正基;轩伟鹏;金浩;骆季奎;刘刚;刘舒婷;钟高峰;邹锦林设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种异质外延薄膜外延层的表面处理方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种异质外延薄膜外延层的表面处理方法，包括提供外延衬底，在所述外延衬底上表面制备一外延层，提供待键合层；键合所述外延层和所述待键合层；机械减薄抛光所述外延衬底下表面，当所述外延衬底的厚度减薄至20‑40μm时停止抛光，在减薄后的外延衬底下表面旋涂一层含Si抗反射涂层有机碳层的光刻胶三层结构掩膜；对所述光刻胶三层结构掩膜表面加热后进行化学机械减薄抛光，得到三层结构掩膜平坦化的外延衬底；干法刻蚀CMP抛光后的外延衬底表面直至所述外延层外漏得到异质外延薄膜外延层。该方法能够使得转移剥离露出的外延层的厚度均匀性较好。
本发明授权一种异质外延薄膜外延层的表面处理方法在权利要求书中公布了：1.一种异质外延薄膜外延层的表面处理方法，其特征在于，包括： 1提供外延衬底，在所述外延衬底上表面制备一外延层，提供待键合层；键合所述外延层和所述待键合层； 2机械减薄抛光所述外延衬底下表面，当所述外延衬底的厚度减薄至20-40μm时停止抛光，在减薄后的外延衬底下表面旋涂一层含Si抗反射涂层有机碳层的光刻胶三层结构掩膜； 3对所述光刻胶三层结构掩膜表面加热后进行化学机械减薄抛光，得到三层结构掩膜平坦化的外延衬底； 4干法刻蚀所述的三层结构掩膜平坦化的外延衬底表面直至所述外延层外漏得到异质外延薄膜外延层。
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