铠侠股份有限公司河合宏树获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114122140B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110108855.6，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体装置是由河合宏树;片冈淳司;池田圭司设计研发完成，并于2021-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式的半导体装置1具备氧化物半导体层5。氧化物半导体层5具备金属氧化物，该金属氧化物包含选自由铟及锡所组成的群中的至少1个第1金属元素、及选自由锌、镓、铝、钨、及硅所组成的群中的至少1个第2金属元素。氧化物半导体层5具备第1区域，该第1区域在相对于金属氧化物为1原子％以上且小于8原子％的范围内含有选自由氟及氯所组成的群中的至少1个阴离子元素。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 氧化物半导体层，沿第1方向延伸，且具备第1端部及与该第1端部为相反侧的第2端部； 第1电极，包围所述氧化物半导体层的外周面； 绝缘膜，设置在所述第1电极与所述氧化物半导体层的所述外周面之间； 第2电极，与所述氧化物半导体层的所述第1端部电连接； 第3电极，与所述氧化物半导体层的所述第2端部电连接；及 绝缘体，沿所述第1方向延伸，且被所述氧化物半导体层包围； 所述氧化物半导体层具备金属氧化物，该金属氧化物包含选自由铟及锡所组成的群中的至少1个第1元素、及选自由锌、镓、铝、钨及硅所组成的群中的至少1个第2元素， 所述氧化物半导体层具备第1区域，该第1区域在相对于所述金属氧化物为1原子％以上且小于8原子％的范围内含有选自由氟及氯所组成的群中的至少1个第3元素，且 所述绝缘体含有选自由氟及氯所组成的群中的至少1个元素。
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