台湾积体电路制造股份有限公司赖德洋获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利偶极设计高K栅极电介质及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113257898B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110029535.1，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权偶极设计高K栅极电介质及其形成方法是由赖德洋;彭峻彦;杨世海;徐志安设计研发完成，并于2021-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本偶极设计高K栅极电介质及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及偶极设计高K栅极电介质及其形成方法。一种方法，包括：在第一半导体区域上形成氧化物层，以及在氧化物层之上沉积第一高k电介质层。第一高k电介质层由第一高k电介质材料形成。该方法还包括在第一高k电介质层之上沉积第二高k电介质层，其中，第二高k电介质层由不同于第一高k电介质材料的第二高k电介质材料形成，在从第一高k电介质层和第二高k电介质层中选择的层之上并与该层相接触地沉积偶极膜，执行退火工艺以将偶极膜中的偶极掺杂剂驱入到该层中，去除偶极膜，以及在第二高k电介质层之上形成栅极电极。
本发明授权偶极设计高K栅极电介质及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体器件的方法，包括： 在第一半导体区域上形成第一氧化物层； 在所述第一氧化物层之上沉积第一高k电介质层，其中，所述第一高k电介质层由第一高k电介质材料形成； 在所述第一高k电介质层之上沉积第二高k电介质层，其中，所述第二高k电介质层由不同于所述第一高k电介质材料的第二高k电介质材料形成； 在所述第二高k电介质层之上并与所述第二高k电介质层相接触地沉积第一偶极膜； 执行第一退火工艺以将所述第一偶极膜中的第一偶极掺杂剂驱入到所述第二高k电介质层中； 去除所述第一偶极膜；以及 在所述第二高k电介质层之上形成第一栅极电极； 其中所述方法还包括： 在沉积所述第二高k电介质层之前，在所述第一高k电介质层之上并与所述第一高k电介质层相接触地沉积第二偶极膜； 在沉积所述第二偶极膜之后，执行第二退火工艺以将所述第二偶极膜中的第二偶极掺杂剂驱入到所述第一高k电介质层中； 在执行了所述第二退火工艺之后，去除所述第二偶极膜。
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