美光科技公司F·罗里获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利加速存储器装置修剪初始化获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111383693B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911403484.3，技术领域涉及：G11C16/20；该发明授权加速存储器装置修剪初始化是由F·罗里;C·切拉福利;G·卡列洛;J·帕里设计研发完成，并于2019-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本加速存储器装置修剪初始化在说明书摘要公布了：本文描述了用于加速存储器装置修剪初始化的装置和技术。存储器装置的初始化可以由所述存储器装置启动。可以在所述存储器装置处从控制器接收加速修剪命令。所述存储器装置可以响应于接收到所述加速修剪命令而禁止设定修剪。在此，预期所述修剪由所述控制器设定。所述存储器装置然后在所述控制器设定所述修剪之后可以完成所述初始化。
本发明授权加速存储器装置修剪初始化在权利要求书中公布了：1.一种用于加速存储器装置修剪初始化的存储器装置，所述存储器装置包括： 接口，其用于从存储器控制器接收加速修剪命令；和 处理电路系统，其用于： 启动所述存储器装置的初始化，所述存储器装置的所述初始化包括所述存储器装置的初始修剪加载； 响应于接收到所述加速修剪命令而禁止由阵列控制器设定第一修剪，所述第一修剪由所述存储器控制器设定，其中在没有接收到所述加速修剪命令的情况下，所述存储器装置会将所述第一修剪设定为所述初始修剪加载的部分； 在所述存储器控制器设定所述第一修剪之后，从所述存储器控制器接收启用修剪命令；以及 在接收到所述启用修剪命令之后，完成所述存储器装置的所述初始化，所述初始化包括由所述阵列控制器设定第二修剪，所述第二修剪被设定为用于完成所述初始修剪加载的部分，以完成所述存储器装置的所述初始化。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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