北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司刘峻志获国家专利权
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龙图腾网获悉北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司申请的专利内存单元及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114762044B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980101738.8，技术领域涉及：G11C11/00；该发明授权内存单元及其制造方法是由刘峻志;廖昱程;邱泓瑜;李宜政设计研发完成，并于2019-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本内存单元及其制造方法在说明书摘要公布了：一种内存单元，包含主动组件10、电极20a，20b、加热单元30以及相变化单元40。电极20a，20b耦接于主动组件10，且电极20a，20b与该主动组件10位于同一层。加热单元30形成于电极20a，20b上方，且加热单元30耦接于电极20a，20b。相变化单元40耦接于加热单元30，其中相变化单元40形成于主动组件10上方，且相变化单元40与主动组件10并联。
本发明授权内存单元及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种内存单元，包含： 主动组件； 两个电极，耦接于该主动组件，且该两个电极与该主动组件位于同一层； 两个加热单元，且该两个加热单元分别耦接于该两个电极，该两个加热单元的顶面位于同一水平高度； 相变化单元，耦接于该两个加热单元，该相变化单元形成于该主动组件上方，且该相变化单元与该主动组件并联，该相变化单元耦接于该两个加热单元各自的侧面；以及 两个热绝缘单元，该两个热绝缘单元分别形成于该两个加热单元上方，且该相变化单元接触该两个热绝缘单元各自的侧面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司，其通讯地址为：100094 北京市海淀区丰豪东路9号院中关村集成电路设计园2D座802；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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