朗姆研究公司丹尼斯·M·豪斯曼获国家专利权
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龙图腾网获悉朗姆研究公司申请的专利SiO2在铜存在下在电介质表面上的选择性生长获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111373507B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880075646.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权SiO2在铜存在下在电介质表面上的选择性生长是由丹尼斯·M·豪斯曼;亚力山大·R·福克斯;科琳·劳勒设计研发完成，并于2018-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本SiO2在铜存在下在电介质表面上的选择性生长在说明书摘要公布了：提供了用于相对于诸如铜之类的含金属表面在电介质表面上选择性地沉积氧化硅的方法和设备。所述方法包括使具有电介质表面和铜表面的衬底暴露于铜封闭剂如烷基硫醇以使其选择性吸附到铜表面上，使衬底暴露于含硅前体以沉积氧化硅，使衬底暴露于弱氧化剂气体并点燃等离子体以将吸附的含硅前体转化以形成氧化硅，然后使衬底暴露于还原剂以还原暴露于弱氧化剂气体的任何氧化的铜。
本发明授权SiO2在铜存在下在电介质表面上的选择性生长在权利要求书中公布了：1.一种相对于衬底上的铜选择性地在介电材料上沉积氧化硅的方法，该方法包括： a提供包含所述介电材料和暴露的铜金属表面的所述衬底； b在沉积所述氧化硅之前，使所述衬底暴露于铜封闭剂以使其选择性地吸附到所述暴露的铜金属表面上； c使所述衬底暴露于含硅前体，以使所述含硅前体吸附到所述介电材料上； d使所述衬底暴露于在包含弱氧化剂的环境中产生的氧化等离子体，以将所吸附的所述含硅前体转化为氧化硅；以及 e使所述衬底暴露于还原剂以还原所述暴露的铜金属表面, 其中所述还原剂选自由氢气、氢等离子体、肼气、肼等离子体、氨气、氨等离子体、醇和醛组成的群组。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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