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龙图腾网获悉江苏鑫华半导体科技股份有限公司申请的专利基于硅芯棒生长特征的多晶硅沉积进气装置及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120383316B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510884885.4，技术领域涉及：C01B33/035；该发明授权基于硅芯棒生长特征的多晶硅沉积进气装置及控制方法是由田新;王付刚;吴锋;徐玲锋设计研发完成，并于2025-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于硅芯棒生长特征的多晶硅沉积进气装置及控制方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体或太阳能产业的主原料使用的多晶硅沉积技术领域，尤其涉及基于硅芯棒生长特征的多晶硅沉积进气装置及控制方法，该控制方法包括基于第一预设时长内的硅芯棒的表面温度分布均匀程度和或第二预设时长内硅芯棒的生长均匀程度确定获取硅芯棒的生长异常区域数据和硅芯棒的整体生长速率数据；基于存在未重叠区域的生长异常区域与空间拼接后的生长异常区域是否覆盖所述硅芯棒一周，以及硅芯棒的整体生长速率与预设整体生长速率的比对结果确定以局部控制方法控制进气或以整体控制方法控制进气；本发明通过提高对硅芯棒生长特征分析的精准性进而提高对进气装置控制的精准性。

本发明授权基于硅芯棒生长特征的多晶硅沉积进气装置及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种基于硅芯棒生长特征的多晶硅沉积进气装置控制方法，其特征在于，包括： 获取沉积过程中硅芯棒的表面温度数据、硅芯棒的生长数据以及进气装置的进气数据； 基于第一预设时长内的硅芯棒的表面温度分布均匀程度和或第二预设时长内硅芯棒的生长均匀程度确定获取硅芯棒的生长异常区域数据和硅芯棒的整体生长速率数据； 计算第一预设时长内硅芯棒的表面温度分布均匀程度包括： 沿着硅芯棒的轴向等间距选取若干个截面，并在每个截面上以圆周方向等角度选取多个点作为温度监测点； 获取第一预设时长内实时采集到的每个监测点的温度数据，并记录每个时刻各点的温度值，形成一个时间序列的温度数据集； 计算第一预设时长内硅芯棒表面的平均温度，并计算每个监测点的温度值与平均温度的偏差； 计算所有监测点温度偏差的标准差得到第一预设时长内硅芯棒的表面温度分布均匀程度； 计算第二预设时长内硅芯棒的生长均匀程度包括： 沿着硅芯棒的轴向等间距选取若干个截面，并在每个截面上以圆周方向等角度选取多个点作为生长均匀程度监测点； 在第二预设时长内定期测量每个监测点处硅芯棒的生长参数，并记录每个时刻各点的生长数据，形成生长数据的时间序列； 对第二预设时长内所有监测点的生长数据进行处理，计算出该时长内硅芯棒表面的直径变化率； 计算每个监测点的直径变化率与平均直径变化率的偏差； 计算所有监测点直径变化率偏差的标准差得到第二预设时长内硅芯棒的生长均匀程度； 基于所述生长异常区域是否存在未重叠区域确定是否将所述生长异常区域进行空间拼接； 确定是否将所述生长异常区域进行空间拼接包括： 若生长异常区域存在未重叠区域，确定需要将所述生长异常区域进行空间拼接； 若生长异常区域不存在未重叠区域，确定不需将所述生长异常区域进行空间拼接； 基于存在未重叠区域的生长异常区域与空间拼接后的生长异常区域的覆盖范围，以及硅芯棒的整体生长速率与预设整体生长速率的比对结果确定以局部控制方法控制进气或以整体控制方法控制进气； 基于局部生长异常区域是否存在冲突异常特征确定调整所述局部生长异常区域对应进气装置的进气流量或进气角度，或基于整体生长区域的异常特征的一致程度确定调整整体进气装置的分布位置或分布间距。

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