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龙图腾网获悉嘉兴阿特斯技术研究院有限公司;扬州阿特斯太阳能电池有限公司申请的专利太阳能电池的制备方法及太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076463B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510534259.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权太阳能电池的制备方法及太阳能电池是由韩合坤设计研发完成，并于2025-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池的制备方法及太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明公开了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，制备方法包括采用链式酸刻蚀工艺去除所述硅衬底第一表面和侧面上的第二掩膜层；采用链式碱刻蚀工艺去除所述硅衬底第一表面和侧面上的第二隧穿钝化结构；采用槽式刻蚀工艺去除所述硅衬底第二表面第一区域和第三区域的第二隧穿钝化结构，在所述硅衬底第二表面的第三区域以及第一表面上形成绒面陷光结构，并去除所述硅衬底第二表面的第一区域的第一掩膜层及第二区域的第二掩膜层。本发明的太阳能电池的制备方法及太阳能电池，能优化电池制备工艺、保护环境、提高绒面质量、提高电池效率。

本发明授权太阳能电池的制备方法及太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括： 提供一硅衬底，所述硅衬底包括相对设置的第一表面和第二表面以及侧面，所述第二表面包括间隔分布的第一区域和第二区域，以及位于所述第一区域和第二区域之间的第三区域，所述硅衬底第二表面的第一区域依次形成有第一隧穿钝化结构、第一掩膜层和第二隧穿钝化结构，所述硅衬底第二表面的第二区域依次形成有第二隧穿钝化结构和第二掩膜层，所述硅衬底第二表面的第三区域形成有第二隧穿钝化结构，所述硅衬底第一表面和侧面上依次形成第二隧穿钝化结构和第二掩膜层； 采用链式酸刻蚀工艺去除所述硅衬底第一表面和侧面上的第二掩膜层； 采用第二刻蚀液进行链式碱刻蚀工艺去除所述硅衬底第一表面和侧面上的第二隧穿钝化结构，所述第二刻蚀液包括质量分数为10%-20%的碱溶液； 采用第三刻蚀液进行槽式刻蚀工艺去除所述硅衬底第二表面第一区域和第三区域的第二隧穿钝化结构，在所述硅衬底第二表面的第三区域以及第一表面上形成绒面陷光结构，所述第三刻蚀液包括质量分数为0.5%-1.5%的碱溶液，形成绒面陷光结构的制绒时间为650s-950s； 采用槽式刻蚀工艺去除所述硅衬底第二表面的第一区域的第一掩膜层及第二区域的第二掩膜层。

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