闽都创新实验室;福州大学李浩宏获国家专利权
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龙图腾网获悉闽都创新实验室;福州大学申请的专利一种基于巯基吡啶的镉配合物掺杂聚合物阻变存储材料获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117285849B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311185107.3，技术领域涉及：C09D139/04；该发明授权一种基于巯基吡啶的镉配合物掺杂聚合物阻变存储材料是由李浩宏;刘远征;陈之荣设计研发完成，并于2023-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于巯基吡啶的镉配合物掺杂聚合物阻变存储材料在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于巯基吡啶的镉配合物掺杂聚合物阻变存储材料及其制备方法和应用，属于数据存储技术领域。该存储材料是以2‑巯基吡啶2Spy和4‑巯基吡啶4Spy为配体合成硫氰酸镉配合物，并与聚乙烯咔唑PVK复配制得的复合材料。FTOCd‑4Spy@PVKAg器件展现了三进制的RRAM存储行为，其ON2ON1OFF态电流比为106.10:103.33:1，VSet1VSet2为1.271.87，三进制产率为61%。在100℃时存储行为会由于活性层陷阱变浅而转变为二进制的RRAM类型，器件在365nm紫外辐射照射下具有良好的器件稳定性，为制备耐高温和耐紫外辐射的高性能存储器提供新策略。
本发明授权一种基于巯基吡啶的镉配合物掺杂聚合物阻变存储材料在权利要求书中公布了：1.一种基于巯基吡啶的镉配合物掺杂聚合物阻变存储材料，其特征在于：巯基吡啶的镉配合物和聚合物的质量比为1:3； 所述的巯基吡啶的镉配合物为Cd-2Spy、Cd-4Spy中的任一种；所述的聚合物为聚乙烯咔唑； 所述的巯基吡啶的镉配合物的制备方法包括：以巯基吡啶为配体，通过与硫氰酸镉搅拌反应，冷却过滤，滤液挥发结晶，得到所述的巯基吡啶的镉配合物；所述的巯基吡啶为2-巯基吡啶、4-巯基吡啶中的任一种。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人闽都创新实验室;福州大学，其通讯地址为：350116 福建省福州市闽侯县上街镇海西高新区科技园高新大道8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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