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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种混合永磁记忆电机及多段式调磁脉冲注入方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116436244B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310477304.6，技术领域涉及：H02K21/02；该发明授权一种混合永磁记忆电机及多段式调磁脉冲注入方法是由徐炜;张为;秦岭;王激尧设计研发完成，并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种混合永磁记忆电机及多段式调磁脉冲注入方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种混合永磁记忆电机及多段式调磁脉冲注入方法，涉及记忆电机技术领域。本发明包括：定子铁心，所述定子铁心的内圆周设置有多个定子齿，电枢绕组安装在两两定子齿之间；转子铁心，所述转子铁心套设在所述定子铁心内。本发明中Y型拓扑结构同时包含串联型和并联型两种不同的磁路，其中，高矫顽力永磁体可以提供稳定的磁动势，且由于高矫顽力永磁体处于转子外侧，能有效抵抗负载条件下的非预期退磁；低矫顽力永磁体可以双向磁化，弱磁时大部分磁场才转子内部形成短路，从而有效提升了调磁范围，且相比于传统的d轴调磁，所述调磁方式仅需更小的脉冲电流，便可达到与传统结构相同的调磁效果。

本发明授权一种混合永磁记忆电机及多段式调磁脉冲注入方法在权利要求书中公布了：1.一种混合永磁记忆电机，其特征在于，包括； 定子铁心1，所述定子铁心1的内圆周设置有多个定子齿8，电枢绕组2安装在两两定子齿8之间； 转子铁心3，所述转子铁心3套设在所述定子铁心1内，所述转子铁心3上安装有多个永磁体组件5，所述永磁体组件5包括高矫顽力永磁体5.1、第一低矫顽力永磁体5.2和第二低矫顽力永磁体5.3，三个永磁体呈“Y”形排列，且高矫顽力永磁体5.1靠近转子铁心3外侧，呈径向布设，第一低矫顽力永磁体5.2和第二低矫顽力永磁体5.3靠近转子铁心3内侧，呈周向布设； 长磁障6，所述长磁障6开设在所述转子铁心3上，用于隔离相邻永磁体组件5的磁路； 短磁障7，所述短磁障7开设在所述转子铁心3上，用于隔离一个永磁体组件5之中的第一低矫顽力永磁体5.2和第二低矫顽力永磁体5.3的磁路； 所述长磁障6设置于相邻的永磁体组件5之间，长磁障6的中间部分呈矩形，两端呈半圆形，长磁障6与其相邻的第一低矫顽力永磁体5.2以及与其相邻的第二低矫顽力永磁体5.3均相互垂直，且长磁障6与其相邻的第一低矫顽力永磁体5.2以及与其相邻的第二低矫顽力永磁体5.3之间距离≦2mm，长磁障6底端与转轴4之间距离≦4mm。

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