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龙图腾网获悉天津商业大学申请的专利低开关电压应力的双开关高升压直流变换器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116455220B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310444929.2，技术领域涉及：H02M3/158；该发明授权低开关电压应力的双开关高升压直流变换器是由刘玲玲;胡连军;杨惠兰;张亚坤;吴阳设计研发完成，并于2023-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本低开关电压应力的双开关高升压直流变换器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低开关电压应力的双开关高升压直流变换器，其特点是包括输入直流电压Vi、电感L1～L3、电容C1～C5、电容Co、二极管D1～D6、二极管Do、MOSFET开关管S1～S2和负载Ro；输入直流电压Vi的正极分别与电感L1的一端、二极管D3的阳极和电容C1、电容C4的一端相连接，输入直流电压Vi的负极分别与电容C3的另一端、MOSFET开关管S1的源极和二极管D6的阴极相连接，二极管D6的阳极分别与电容C5的另一端、电容Co的负极、负载Ro的负极相连接，二极管Do的阴极分别与电容Co的正极、负载Ro的正极相连接。本发明实现升压直流变换器的高电压增益功能，降低了开关的电压应力，提高了直流变换器电路的性价比，可广泛地应用在直流变换领域中。

本发明授权低开关电压应力的双开关高升压直流变换器在权利要求书中公布了：1.一种低开关电压应力的双开关高升压直流变换器，其特征在于：包括输入直流电压Vi、电感L1～L3、电容C1～C5、电容Co、二极管D1～D6、二极管Do、MOSFET开关管S1～S2和负载Ro；所述输入直流电压Vi的正极分别与电感L1的一端、二极管D3的阳极和电容C1、电容C4的一端相连接，所述电感L1的另一端分别与二极管D1和二极管D2的阳极相连接，所述二极管D1的阴极与电容C1的另一端和电感L2的一端相连接，所述电感L2的另一端分别与电容C2的一端、二极管D2的阴极、MOSFET开关管S1的漏极和S2的源极相连接，所述二极管D3的阴极分别与电容C2的另一端和二极管D4的阳极相连接，所述二极管D4的阴极分别与电容C3的一端和电感L3的一端相连接，所述电感L3的另一端分别与MOSFET开关管S2的漏极、电容C5的一端和二极管D5的阳极相连接，所述二极管D5的阴极分别与电容C4的另一端和输出二极管Do的阳极相连接，所述输入直流电压Vi的负极分别与电容C3的另一端、MOSFET开关管S1的源极和二极管D6的阴极相连接，所述二极管D6的阳极分别与电容C5的另一端、电容Co的负极、负载Ro的负极和输出直流电压Vo的负极相连接；所述二极管Do的阴极分别与电容Co的正极、负载Ro的正极和输出直流电压Vo的正极相连接。

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