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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种基于铋接触电极的N型聚合物场效应晶体管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116113291B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310275738.8，技术领域涉及：H10K71/60；该发明授权一种基于铋接触电极的N型聚合物场效应晶体管的制备方法是由刘兆;徐勇;陈泉桦;祝如俊;曹家荣;刘源;曹锦绣;孙华斌;朱力;吴洁设计研发完成，并于2023-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于铋接触电极的N型聚合物场效应晶体管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及微电子材料与器件技术领域，涉及一种基于铋接触电极的N型聚合物场效应晶体管的制备方法；N型聚合物场效应晶体管为顶栅底接触结构；首先在衬底上通过掩膜版使用真空蒸镀的方式制备铋金属膜作为源、漏电极，随后在其表面旋涂有机半导体作为有源层，待其退火结束后在其表面旋涂绝缘体作为介电层，最后通过掩模膜版在介电层上方蒸镀铝金属膜作为栅电极；该方法制备的接触电极相较于传统的金接触电极，其N型电接触性能获得了明显改善，器件性能明显提升，同时制备成本得到显著下降。

本发明授权一种基于铋接触电极的N型聚合物场效应晶体管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于铋接触电极的N型聚合物场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法如下： 步骤S1：溶液的制备： 步骤S1-1：半导体溶液的配置； 步骤S1-2：介电层溶液的配置； 步骤S2：选择衬底并清洗； 步骤S3：源、漏电极的制备： 采用真空蒸镀的方式，先将铋颗粒放置在金属钨舟内，随后将清洗洁净的源、漏电极掩膜版与衬底一同吸附在磁性贴上送入蒸镀仪的腔体，使用机械泵和分子泵将蒸镀仪腔体的真空度抽至5*10-4Pa；随后缓慢增加施加在金属钨舟两端功率，待铋颗粒融化后，控制铋气流速率保持在0.2Ås； 步骤S4：有机半导体层的制备： 清洁步骤S3中的衬底表面并将其转移至氮气手套箱内，通过移液枪将步骤S1的半导体溶液滴在衬底表面，通过旋涂仪以500rpms的速度预旋涂10s，然后以2000rpms的速度旋涂60s；旋涂结束后，以80℃预退火5min，再以200℃退火20min，退火结束后将其移出加热台，室温冷却30min； 步骤S5：聚合物介电层的制备： 待步骤S4中的样品冷却结束后将其置于旋涂仪上，通过移液枪将步骤S1中介电层溶液滴在样品表面，通过旋涂仪以500rpms的速度预旋涂5s，随后以2000rpms的速度旋涂60s；旋涂结束后，以80℃退火过夜；退火结束后将其移出加热台，室温冷却30min； 步骤S6：栅极的制备 采用高温蒸镀的方式，先将铝金属颗粒放置在金属钨舟内，随后将清洗洁净的栅电极掩膜版与步骤S5中的样品一同吸附在磁性贴上送入蒸镀仪的腔体，使用机械泵和分子泵将蒸镀仪腔体的真空度抽至5*10-4Pa；随后缓慢增加施加在金属钨舟两端功率，待铝金属颗粒融化后，控制铝金属气流速率保持在0.2Ås。

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