杭州大和热磁电子有限公司王庆广获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州大和热磁电子有限公司申请的专利一种射流冲击式半导体制冷装置及其冷却方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116358183B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310181447.2，技术领域涉及：F25B21/02；该发明授权一种射流冲击式半导体制冷装置及其冷却方法是由王庆广设计研发完成，并于2023-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种射流冲击式半导体制冷装置及其冷却方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种射流冲击式半导体制冷装置，包括半导体制冷主体，所述的半导体制冷主体嵌设在一冷却主体上，所述的冷却主体内部设置有射流冲击冷却通道，所述的射流冲击冷却通道与半导体制冷主体之间形成射流冲击式冷却结构。还公开了该射流冲击式半导体制冷装置的冷却方法。该射流冲击式半导体制冷装置，结构紧凑简单，采用射流冲击式冷却结构，冷却液能够最大限度地与半导体制冷主体接触且在撞击接触后快速分离，能够将热量快速带走，有效提升了半导体制冷主体的散热能力和制冷能力，而且还能够使输入的电能达到节能目的，实现了电能的高效利用。
本发明授权一种射流冲击式半导体制冷装置及其冷却方法在权利要求书中公布了：1.一种射流冲击式半导体制冷装置，其特征在于：包括半导体制冷主体（100），所述的半导体制冷主体（100）嵌设在一冷却主体（200）上，所述的冷却主体（200）内部设置有射流冲击冷却通道（300），所述的射流冲击冷却通道（300）与半导体制冷主体（100）之间形成射流冲击式冷却结构；在冷却主体上开设有与半导体制冷主体直接连通的射流冷却口，在冷却主体内部设置有导流腔，在导流腔的尾端开设有射流喷嘴，导流腔、射流喷嘴、射流冷却口形成所述的射流冲击冷却通道；射流冲击冷却通道为夹角射流结构或直射结构，冷却液经夹角射流结构或直射结构形成涡流式射流冲击冷却结构或直射式射流冲击式冷却结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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