中国科学院半导体研究所楚新波获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利无机钙钛矿太阳能电池及制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116154015B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310181459.5,技术领域涉及:H10K30/50;该发明授权无机钙钛矿太阳能电池及制备方法是由楚新波;叶秋枫;游经碧设计研发完成,并于2023-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本无机钙钛矿太阳能电池及制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种无机钙钛矿太阳能电池,包括:衬底;电子传输层,设置在衬底上;无机钙钛矿吸光层,设置在电子传输层上,被构造成吸收太阳光并产生成对的电子和空穴,电子经电子传输层传输至衬底;表面重构层,设置在无机钙钛矿吸光层上,表面重构层被构造成在无机钙钛矿吸光层中掺杂氟离子,氟离子与无机钙钛矿吸光层中的铅元素形成强化学键,以钝化铅的间隙缺陷以及卤化物空位缺陷,并抑制无机钙钛矿吸光层内部的非辐射复合;空穴传输层,设置在表面重构层上;以及金属电极,设置在空穴传输层上;空穴传输层被构造成接收由无机钙钛矿吸光层产生的空穴,并将空穴传输至金属电极,金属电极接收空穴并与来自衬底的电子复合,以形成导电回路。
本发明授权无机钙钛矿太阳能电池及制备方法在权利要求书中公布了:1.一种无机钙钛矿太阳能电池,包括: 衬底1,由透明导电材料制成; 电子传输层2,设置在所述衬底1上; 无机钙钛矿吸光层3,设置在所述电子传输层2上,被构造成吸收太阳光并产生成对的电子以及空穴,所述电子经所述电子传输层2传输至所述衬底1,所述无机钙钛矿吸光层3的材质为CsPbIxBr3-x,其中,0<x<3; 表面重构层4,设置在所述无机钙钛矿吸光层3上,所述表面重构层通过在所述无机钙钛矿吸光层上旋涂氟化铯溶液制备得到,氟离子与所述无机钙钛矿吸光层3中的铅元素形成强化学键,以钝化铅的间隙缺陷以及卤化物空位缺陷,进而钝化所述无机钙钛矿吸光层3的化学反应性的敏感性,并抑制所述无机钙钛矿吸光层3内部的非辐射复合,以及形成梯度异质结进行载流子抽取,所述表面重构层的材质为CsPbIzBr3-z,其中,0<z<x; 空穴传输层5,设置在所述表面重构层4上;以及 金属电极6,设置在所述空穴传输层5上; 其中,所述空穴传输层5被构造成接收由所述无机钙钛矿吸光层3产生的所述空穴,并将所述空穴传输至所述金属电极6,所述金属电极6接收所述空穴并与来自所述衬底1的所述电子复合,以形成导电回路。
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