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龙图腾网获悉北京世纪金光半导体有限公司申请的专利一种多阶梯多沟道的沟槽MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190448B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310130245.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种多阶梯多沟道的沟槽MOSFET器件及其制备方法是由徐妙玲;孙博韬;邱艳丽;张晨;修德琦;韩丽楠;介芳设计研发完成，并于2023-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多阶梯多沟道的沟槽MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种多阶梯多沟道的沟槽MOSFET器件及其制备方法，其中n级阶梯沟槽的设计可在确保栅氧可靠性及反向击穿的基础上，增加单位沟槽元胞的沟道通路提升沟道密度，相邻P+注入未在同一水平位置，即第一掺杂区域、第二掺杂区域和第三掺杂区域未在同一水平位置，有效降低相邻P+区域的JFET效应减小JFET电阻，有效降低了MOSFET晶体管的比导通电阻提升单位面积电流密度，JFET效应低使小电流和大电流下导通电阻变化减小；另一方面在源极附近反并联了肖特基二极管在不影响元胞尺寸的基础上，可显著降低MOSFET晶体管二极管压降，提升芯片的集成度，并且降低了集成肖特基二极管的MOSFET器件的制作成本。

本发明授权一种多阶梯多沟道的沟槽MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多阶梯多沟道的沟槽MOSFET器件，其特征在于，所述沟槽MOSFET器件包括： 衬底； 在第一方向上，依次位于所述衬底一侧的缓冲层、外延层和电流扩展层；所述电流扩展层背离所述衬底的一侧具有n级阶梯沟槽，n为大于或等于3的正整数；所述第一方向垂直于所述衬底所在平面，且由所述衬底指向所述电流扩展层； 所述沟槽MOSFET器件还包括栅极和源极，所述栅极位于第一级、…、第m级阶梯沟槽内，所述源极位于第m+1级、第m+2级、…、第n级阶梯沟槽内，m为大于或等于2的正整数，其中所述栅极包括位于第一级阶梯沟槽内的第一栅极部分和位于第二级阶梯沟槽内的第二栅极部分，所述第一栅极部分相邻的所述第一级阶梯沟槽的侧壁具有第一掺杂区域，所述第二栅极部分相邻的所述第二级阶梯沟槽的侧壁具有第二掺杂区域，所述第一栅极部分的结构与所述第二栅极部分的结构相同； 位于其它级阶梯沟槽内的源极，以及位于所述n级阶梯沟槽底部区域的第三掺杂区域； 其中，所述第一掺杂区域、第二掺杂区域和第三掺杂区域的掺杂类型相同。

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