广东省科学院半导体研究所邹胜晗获国家专利权
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龙图腾网获悉广东省科学院半导体研究所申请的专利一种量子点光转换薄膜制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116017999B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211697899.8，技术领域涉及：H10K50/115；该发明授权一种量子点光转换薄膜制作方法是由邹胜晗;龚政;郭婵;李育智;陈志涛设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种量子点光转换薄膜制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种量子点光转换薄膜制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一凹模板，其中，凹模板上设置有多个图案化凹槽，再沿凹模板的表面旋涂量子点聚合物复合材料，并形成量子点聚合物薄膜层，接着提供一临时基底，并将量子点聚合物薄膜层转移至临时衬底，并在临时基底上去除量子点聚合物薄膜层中多余的量子点聚合物复合材料，并在临时基底上形成多个图案化量子点，最后将图案化量子点转移至目标基底。本申请提供的量子点光转换薄膜制作方法具有制作的图案化量子点的效果更好的优点。
本发明授权一种量子点光转换薄膜制作方法在权利要求书中公布了：1.一种量子点光转换薄膜制作方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一凹模板，其中，所述凹模板上设置有多个图案化凹槽； 沿所述凹模板的表面旋涂量子点聚合物复合材料，并形成量子点聚合物薄膜层； 提供一临时基底，沿所述临时基底的表面旋涂第一黏性材料，并将所述量子点聚合物薄膜层转移至所述临时基底；在所述临时基底上去除量子点聚合物薄膜层中多余的量子点聚合物复合材料，并在所述临时基底上形成多个图案化量子点； 将所述图案化量子点转移至目标基底； 将所述图案化量子点转移至目标基底的步骤包括： 提供一目标基底； 沿所述目标基底的表面旋涂第二黏性材料，其中，所述第二黏性材料的黏性大于所述第一黏性材料的黏性； 利用所述黏性材料与所述图案化量子点接触，并将所述图案化量子点转移至所述的临时基底。
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