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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利晶体管氧化层不同深度处电离-位移协同效应的仿真方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831278B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211404835.4，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权晶体管氧化层不同深度处电离-位移协同效应的仿真方法是由李兴冀;杨剑群;吕钢;应涛设计研发完成，并于2022-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶体管氧化层不同深度处电离-位移协同效应的仿真方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶体管氧化层不同深度处电离‑位移协同效应的仿真方法，方法包括：在双极晶体管氧化层的不同深度处分别设置预设初始浓度的氧空位缺陷，并根据电子‑空穴对计算模型确定双极晶体管氧化层中的电子‑空穴对数量；基于预设的缺陷演化进程，根据氧空位缺陷和电子‑空穴对不同深度处的电离‑位移协同效应进行仿真，根据仿真结果确定不同深度处的空穴浓度；对不同深度处的空穴浓度进行对比分析，确定双极晶体管氧化层中不同深度处电离‑位移协同效应之间的关系。本发明实现了晶体管氧化层不同深度处电离‑位移协同效应的仿真及研究，提供的仿真方法数据获取过程便捷，获取的数据也不会引入干扰项，分析结果精准可靠。

本发明授权晶体管氧化层不同深度处电离-位移协同效应的仿真方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管氧化层不同深度处电离-位移协同效应的仿真方法，其特征在于，包括： 在双极晶体管氧化层的不同深度处分别设置预设初始浓度的氧空位缺陷，并根据电子-空穴对计算模型确定所述双极晶体管氧化层中的电子-空穴对数量；所述根据电子-空穴对计算模型确定所述双极晶体管氧化层中的电子-空穴对数量，用于模拟采用γ射线对所述双极晶体管氧化层进行电离辐照产生所述电子-空穴对的过程；所述根据电子-空穴对计算模型确定所述双极晶体管氧化层中的电子-空穴对数量包括： 所述电子-空穴对计算模型采用如下公式表示，所述公式包括： ， 其中，表示电子数量，表示空穴数量，表示产率，表示单位剂量下初始电子-空穴对的生成数，表示剂量率； 基于预设的缺陷演化进程，根据所述氧空位缺陷和所述电子-空穴对所述不同深度处的电离-位移协同效应进行仿真，根据仿真结果确定所述不同深度处的空穴浓度；位移损伤包括所述氧空位缺陷和双氢缺陷，所述缺陷演化进程包括：所述氧空位缺陷俘获所述电子-空穴对中的空穴，生成电离缺陷；所述双氢缺陷俘获空穴，释放氢质子；其中，所述氢质子的浓度与界面态陷阱的浓度正相关； 对所述不同深度处的所述空穴浓度进行对比分析，确定所述双极晶体管氧化层中不同深度处电离-位移协同效应之间的关系；所述双极晶体管氧化层中不同深度处电离-位移协同效应之间的关系包括：所述双极晶体管氧化层中电离-位移协同效应的区域越深，所述双极晶体管中界面态陷阱的浓度越低，其中，所述界面态陷阱的浓度与所述空穴浓度正相关。

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