深圳天狼芯半导体有限公司吴龙江获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利垂直型功率器件的结构、制造方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602728B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211347508.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权垂直型功率器件的结构、制造方法及电子设备是由吴龙江设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直型功率器件的结构、制造方法及电子设备在说明书摘要公布了：一种垂直型功率器件的结构、制造方法及电子设备，属于半导体技术领域，通过包括上臂结构和下臂结构；上臂结构和下臂结构均包括衬底、缓冲层、外延层、沟道层、有源层、隔离柱以及第一金属柱；衬底、缓冲层、外延层、沟道层以及有源层自下而上依次设置；栅极结构从有源层的上表面纵向向下穿过有源层和沟道层；隔离柱侧面与切面重叠且从有源层的上表面贯穿至外延层的下表面；第一金属柱从衬底的下表面贯穿至外延层；切面为上臂结构和下臂结构的分界面；在下臂结构中的第一金属柱的深度大于在上臂结构中的第一金属柱的深度；故在满足了上臂器件高耐压的同时，减小了下臂器件的导通电阻。
本发明授权垂直型功率器件的结构、制造方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种垂直型功率器件的结构，其特征在于，包括上臂结构和下臂结构；其中，所述上臂结构和所述下臂结构均包括： 自下而上依次设置的衬底、缓冲层、外延层、沟道层以及有源层； 从所述有源层的上表面纵向向下穿过所述有源层和所述沟道层的栅极结构； 侧面与切面重叠且从所述有源层的上表面贯穿至所述外延层的下表面的隔离柱； 从所述衬底的下表面贯穿至所述外延层的第一金属柱； 其中，所述切面为所述上臂结构和所述下臂结构的分界面；在下臂结构中的所述第一金属柱的深度大于在上臂结构中的所述第一金属柱的深度； 所述上臂结构和所述下臂结构均以所述有源层作为源极；所述上臂结构和所述下臂结构均以所述第一金属柱作为漏极电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳天狼芯半导体有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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