中科亿海微电子科技(苏州)有限公司梁子骞获国家专利权
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龙图腾网获悉中科亿海微电子科技(苏州)有限公司申请的专利一种电阻版图及其设计方法、半导体结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115483207B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211163913.6,技术领域涉及:H10D89/10;该发明授权一种电阻版图及其设计方法、半导体结构是由梁子骞;高东旭;徐浩然设计研发完成,并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电阻版图及其设计方法、半导体结构在说明书摘要公布了:本发明提供了一种电阻版图及其设计方法、半导体结构,其中,所述电阻版图包括:第一电阻阵列和第二电阻阵列;所述第一电阻阵列包括多个沿第一方向延伸且沿第二方向排布的第一电阻单位段,其中,所述第一方向和所述第二方向相交;所述第二电阻阵列包括多个沿第一方向延伸且沿第二方向排布的第二电阻单位段;其中,所述第二电阻阵列位于所述第一电阻阵列在第二方向上的外侧。本发明实施例通过在第一电阻阵列的外围设置第二电阻阵列,使得位于边缘的第一电阻单位段离工艺处理边缘远,最终得到的期望电阻在制造过程中受到工艺影响变小,提高了电阻精度可靠性。
本发明授权一种电阻版图及其设计方法、半导体结构在权利要求书中公布了:1.一种电阻版图,其特征在于,包括: 第一电阻阵列(11)和第二电阻阵列(12)、多个第三连接导体(124)、第四连接导体(125)、第五连接导体(128); 所述第一电阻阵列(11)包括多个沿第一方向延伸且沿第二方向排布的第一电阻单位段(111)、多个第一接触导孔(112)和多个第一连接导体(113),其中,所述第一方向和所述第二方向相交,所述第一电阻单位段(111)沿第一方向设置有所述第一接触导孔(112),所述第一接触导孔(112)与所述第一电阻单位段(111)电连接,所述第一连接导体(113)分别电连接位于不同第一电阻单位段(111)上的所述第一接触导孔(112); 所述第二电阻阵列(12)包括多个沿第一方向延伸且沿第二方向排布的第二电阻单位段(121)、多个第二接触导孔(122)和多个第二连接导体(123);其中,所述第二电阻阵列(12)分别位于所述第一电阻阵列(11)在第二方向上相对的两外侧,所述第一电阻单位段(111)和所述第二电阻单位段(121)相同,所述第二电阻单位段(121)沿第一方向设置有所述第二接触导孔(122),所述第二接触导孔(122)与所述第二电阻单位段(121)电连接,所述第二连接导体(123)分别电连接位于不同第二电阻单位段(121)上的所述第二接触导孔(122);相邻所述第一电阻单位段(111)沿第二方向上的间距为第一宽度;所述第一电阻阵列(11)和所述第二电阻阵列(12)沿第二方向上的间距为第二宽度;相邻所述第二电阻单位段(121)沿第二方向上的间距为第三宽度;其中,所述第一宽度、所述第二宽度和所述第三宽度相等; 每一所述第三连接导体(124)电连接位于同一第二电阻单位段(121)上的两个所述第二接触导孔(122);所述第二电阻阵列(12)通过所述第四连接导体(125)与地线(126)连接;所述第五连接导体(128)连接所述第一电阻阵列(11)版图和所述第二电阻阵列(12)版图。
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