浙江珏芯微电子有限公司谭必松获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江珏芯微电子有限公司申请的专利一种铟柱高度的监控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440612B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211138467.3，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种铟柱高度的监控方法是由谭必松;李伟伟;黄先念;林欢欢;毛剑宏设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铟柱高度的监控方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种铟柱高度的监控方法，属于铟柱生长监控技术领域，包括：获取一芯片上光刻孔的第一面积，以及芯片镀铟后光刻孔不包括铟柱的第二面积；根据第一面积和第二面积计算得到芯片镀铟前后的堵孔率；根据堵孔率和铟柱设计高度确定铟柱的实际高度。有益效果：本发明提供一种铟柱高度的监控方法，通过计算铟的堵孔率来对铟柱的沉积高度进行监控，从而达到铟工艺的监控目的，该监控方法能够适用于大规模量产时有效、快捷的监控。
本发明授权一种铟柱高度的监控方法在权利要求书中公布了：1.一种铟柱高度的监控方法，其特征在于，包括： 获取一芯片上光刻孔的第一面积，以及所述芯片镀铟后所述光刻孔不包括铟柱的第二面积； 根据所述第一面积和所述第二面积计算得到所述芯片镀铟前后的堵孔率； 根据所述堵孔率和铟柱设计高度确定所述铟柱的实际高度；所述铟柱的实际高度的确定方法包括： 将所述堵孔率与预设的堵孔阈值区间进行比较，得到一比较结果；每一所述堵孔阈值区间对应于一关联关系，所述关联关系用以表征所述铟柱的实际高度、所述铟柱设计高度和所述堵孔率的对应关系； 根据所述比较结果匹配得到的所述堵孔阈值区间对应的所述关联关系确定所述铟柱的实际高度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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