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龙图腾网获悉中国电子技术标准化研究院申请的专利一种毫米波频段天线谐波乱真辐射发射特征损耗修正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115718224B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211099073.1，技术领域涉及：G01R31/00；该发明授权一种毫米波频段天线谐波乱真辐射发射特征损耗修正方法是由孙美秋;刘喆;项道才;王酣;蔡利花设计研发完成，并于2022-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种毫米波频段天线谐波乱真辐射发射特征损耗修正方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种毫米波频段天线谐波乱真辐射发射特征损耗修正方法，该方法包括根据毫米波频段设备的远场测试环境参数和实际工作环境参数分别计算毫米波频段设备在干燥空气和水汽条件下，远场测试环境的特征损耗和实际工作环境的特征损耗；根据毫米波频段设备在远场测试环境的特征损耗和实际工作环境的特征损耗以及路径长度计算在远场测试环境和实际工作环境的大气特征损耗值；根据计算的远场测试环境和实际工作环境的大气特征损耗值，进一步计算毫米波频段设备天线谐波乱真辐射发射的大气特征损耗修正因数；根据修正因数及毫米波频段设备在远场测试环境测试得到的天线谐波乱真辐射发射结果计算得出毫米波频段设备的天线谐波乱真辐射发射修正结果。

本发明授权一种毫米波频段天线谐波乱真辐射发射特征损耗修正方法在权利要求书中公布了：1.一种毫米波频段天线谐波乱真辐射发射特征损耗修正方法，所述方法包括： 步骤1：根据毫米波频段设备的远场测试环境参数、实际工作环境参数分别计算毫米波在干燥空气条件下，远场测试环境的特征损耗γtest_o和实际工作环境的特征损耗γreal_o； 步骤2：根据毫米波频段设备的远场测试环境参数、实际工作环境参数分别计算毫米波在水汽条件下，远场测试环境的特征损耗γtest_w和实际工作环境的特征损耗γreal_w； 步骤3：根据步骤1计算的γtest_o和γreal_o、步骤2计算的γtest_w和γreal_w以及路径长度，进一步计算毫米波频段远场测试环境的大气特征损耗值Atest_atm和实际工作环境的大气特征损耗值Areal_atm； 步骤4：根据步骤3计算的Atest_atm和Areal_atm，计算毫米波频段设备天线谐波乱真辐射发射的大气特征损耗修正因数Aatm_mod； 步骤5：获取毫米波频段设备的天线谐波乱真辐射发射在远场测试环境接收机直接测试得到的结果Etest，并根据步骤4计算的Aatm_mod计算得出毫米波频段设备的天线谐波乱真辐射发射修正结果Ereal。

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