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龙图腾网获悉扬州乾照光电有限公司申请的专利一种发光芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332402B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211053023.X，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种发光芯片及其制备方法是由伏兵;李晓静;张阿芹;王志亮;马英杰设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种发光芯片及其制备方法，该制备方法包括：提供第一衬底，在第一衬底上依次生长N型缓冲层、N型功能层、有源层和P型功能层，P型功能层按照生长顺序包括P型限制层、P型电流扩展层和粗化层，P型电流扩展层具有多层，每层包含不同含量的Al组分，通过在P型限制层上生长与P型限制层晶格常数相差较小的P型电流扩展层，避免了后续研磨时P型限制层和P型电流扩展层之间的失配应力导致发光芯片翘曲增大的问题，进而避免发光芯片破损，实现提高发光芯片的良片率、优化发光芯片电流扩展和提高发光芯片的出光效果的目的。

本发明授权一种发光芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光芯片的制备方法，其特征在于，包括： 提供具有预设晶向的第一衬底； 在所述第一衬底上依次生长N型缓冲层、N型功能层、有源层和P型功能层，其中，所述N型功能层按照生长顺序包括N型腐蚀截止层、N型欧姆接触层、N型电流扩展层和N型限制层，所述P型功能层按照生长顺序包括P型限制层、P型电流扩展层和粗化层，所述P型电流扩展层具有N层，每层包含不同含量的Al组分，N的取值范围为2至10；其中，在所述P型电流扩展层背离所述P型限制层的一侧上生长粗化层，并对所述粗化层背离所述P型电流扩展层的一侧进行粗化，得到粗化深度范围为0.2um至4um的粗化层； 在所述粗化层粗化的一侧蒸镀硅化合物或氧化合物，并抛光； 提供第二衬底； 在所述第二衬底上蒸镀硅化合物或者氧化合物； 将所述第二衬底上的硅化合物或氧化合物与所述粗化层上的硅化合物或氧化合物键合； 依次腐蚀所述第一衬底、所述N型缓冲层和所述N型腐蚀截止层； 基于电极构造工艺形成P电极、N电极、ISO隔离层和双电极； 研磨所述第二衬底未蒸镀硅化合物或氧化合物的一侧，得到芯片厚度范围为1um至100um的发光芯片； 其中，在所述P型限制层背离所述有源层的一侧生长具有N层结构的P型电流扩展层时，依据生长的后一层结构中的Al组分含量大于前一层结构中的Al组分的方式进行生长； 或者，在所述P型限制层背离所述有源层的一侧生长具有N层结构的P型电流扩展层时，依据生长的后一层结构的厚度大于前一层结构的厚度的方式进行生长； 或者，在所述P型限制层背离所述有源层的一侧生长具有N层结构的P型电流扩展层时，依据生长的后一层结构中Mg掺杂浓度大于前一层结构中Mg掺杂浓度的方式进行生长。

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