上海华力集成电路制造有限公司夏明获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利方孔图形的光学邻近校正方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115390356B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210936271.2,技术领域涉及:G03F1/36;该发明授权方孔图形的光学邻近校正方法是由夏明;于世瑞设计研发完成,并于2022-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本方孔图形的光学邻近校正方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种方孔图形的光学邻近校正方法,提供待光学邻近校正的目标图形,选取出其中距周围图形距离小于设定值的每个方孔图形;在方孔图形每相邻两条边上分别设有一互不重叠的折线段;在每个折线段上且靠近折线段两顶点的位置设置至少一个光强采样点;利用光强采样点对图形进行光学邻近校正。本发明提供一种对通孔层方孔图形线段计算光强采样点移动方法,改善非对称环境孔的轮廓,优化光罩光学邻近修正。
本发明授权方孔图形的光学邻近校正方法在权利要求书中公布了:1.一种方孔图形的光学邻近校正方法,其特征在于,至少包括: 步骤一、提供待光学邻近校正的目标图形,选取出其中距周围图形距离小于设定值的每个方孔图形; 步骤二、在所述方孔图形每相邻两条边上分别设有一互不重叠的折线段,所述折线段的第一、二线段互相垂直; 步骤三、在每个所述折线段上设置至少一个光强采样点,其中所述折线段上的共同端点与所述光强采样点的距离为X*Y,其中X为所述折线段中一顶点与公共端点间的距离,Y大于0且小于1; 步骤四、利用所述光强采样点对所述图形进行光学邻近校正。
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