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龙图腾网获悉无锡韦感半导体有限公司申请的专利一种双振膜硅麦克风及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115209326B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210704348.3，技术领域涉及：H04R19/04；该发明授权一种双振膜硅麦克风及其制造方法是由万蔡辛;何政达;赵成龙;陈骁;巩啸风;蔡春华;蒋樱;林谷丰设计研发完成，并于2022-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双振膜硅麦克风及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种双振膜硅麦克风及其制备方法，其结构包括：下结构层、第一振膜、背极板、第二振膜、第一空腔、第一牺牲层锚区、第二空腔、第二牺牲层锚区、第三空腔、第三牺牲层锚区、通孔、气体流动通道、连接杆、释放孔、腔体封口结构。其制造方法包括以下步骤：在下结构层上依次沉积第一牺牲层、第一振膜、第二牺牲层；沉积背极板，并图形化形成通孔；沉积第三牺牲层，并图形化形成深槽；沉积连接杆膜层，并图形化；沉积第二振膜，并图形化形成释放孔；释放第二牺牲层和第三牺牲层；沉积封口材料，并图形化形成腔体封口结构；光刻刻蚀下结构层背面，并停止在第一牺牲层，形成气体流动通道；腐蚀释放第一牺牲层部分材料，形成第一空腔。

本发明授权一种双振膜硅麦克风及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种双振膜硅麦克风，其特征在于，所述麦克风结构主体由下至上依次包括：下结构层7、第一振膜5、背极板3、第二振膜1； 所述下结构层7和所述第一振膜5之间设有第一空腔8和第一牺牲层锚区6；所述第一振膜5和所述背极板3之间设有第二空腔9和第二牺牲层锚区4；第一空腔8和第二空腔9用于为第一振膜5提供运动空间；所述背极板3和所述第二振膜1之间设有第三空腔15和第三牺牲层锚区2；第三空腔15用于为第二振膜1提供运动空间； 所述背极板3中间设有通孔13，所述通孔13用于连通所述第二空腔9和所述第三空腔15；所述背极板设置为多层复合层； 所述下结构层7中设有气体流动通道10； 所述第一振膜5和所述第二振膜1之间设有连接杆14，所述连接杆14穿过通孔13连接第一振膜5和第二振膜1，用于使第一振膜5与第二振膜1同步运动； 所述第二振膜1上设有释放孔12，所述释放孔12上设有腔体封口结构11。

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