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龙图腾网获悉安建科技有限公司申请的专利一种屏蔽栅MOSFET器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823343B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210534251.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种屏蔽栅MOSFET器件及制造方法是由伍震威;梁嘉进;单建安设计研发完成，并于2022-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种屏蔽栅MOSFET器件及制造方法在说明书摘要公布了：一种屏蔽栅MOSFET器件的结构及制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，为提供一种更好的制造工艺及其结构，该工艺中降低了光刻次数，简化了流程，制作的器件性能也更优化了，具有独特的结构及制造工艺流程，比起传统结构和工艺，能节省数个光刻步骤，有效降低制造成本。

本发明授权一种屏蔽栅MOSFET器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽型场效应管器件的制造方法，其特征在于，所述的制造方法包括如下步骤： 第一步:提供第一导电型衬底（200），并在其上形成第一导电型外延层（201）;第二步:在第一导电型外延层（201）的上表面形成硬掩膜（301）和一系列的沟槽，分别为第一类沟槽（250）、第二类沟槽（251）和第三类沟槽（252），第三类沟槽（252）的宽度要大于第一类沟槽（250）、第二类沟槽（251）的宽度； 其中第一类沟槽（250）和第二类沟槽（251）在同一段沟槽内，第三类沟槽（252）位于器件最外围并且包围第一类沟槽（250）和第二类沟槽（251）； 硬掩膜（301）最少包含一层刻蚀速率不同于氧化物的抗刻蚀材料； 第三步：在沟槽内形成沟槽绝缘层（202）和屏蔽栅电极（203），再沉积氧化物（211），使第一类沟槽（250）和第二类沟槽（251）完全填满，并使第三类沟槽（252）部分填满； 第四步：形成填充材料（401），将第三类沟槽（252）填满； 第五步：去除硬掩膜（301）上方的氧化物（211）和填充材料（401），暴露硬掩膜（301），再在第二类沟槽（251）和第三类沟槽（252）及其外围的上表面形成光刻胶（402）； 第六步：在光刻胶（402）和硬掩膜（301）保护下，回刻氧化物（211），在第一类沟槽（250）内形成极间隔离层（204）；其中在刻蚀第一类沟槽（250）中的氧化物（211）时，包围并垂直于第一类沟槽、第二类沟槽的第三类沟槽252中的氧化物（211）会从侧面被部分刻蚀； 第七步：在光刻胶（402）的保护下刻蚀硬掩膜（301）； 第八步:去除光刻胶（402）和沉积在第三类沟槽（252）内的填充材料（401），在第三类沟槽中的氧化物形成内高外低的台阶； 第九步:在上部的沟槽侧壁上形成栅氧化层（210），再形成栅电极（205），其中在第三类沟槽中的栅电极形成在氧化物内高外低的台阶上; 其中包围并垂直于第一类沟槽、第二类沟槽的第三类沟槽（252）中的位于外围侧壁的氧化物（211）的厚度厚于位于内围侧壁的栅氧化层（210）； 第十步:以硬掩膜（301）作为离子注入的掩膜，进行离子注入; 离子注入时，位于沟槽外围的硬掩膜（301），将离子注入后形成的第二导电型掺杂体区（216）限定在系列沟槽内部; 第十一步:在半导体上表面形成氧化物介质层（206），然后在氧化物介质层上形成第一接触孔（207）; 第一接触孔中的第一类接触孔位于第二类沟槽（251）的正上方，并深入到沟槽内的屏蔽栅电极（203）中；第一接触孔中的第二类接触孔位于第一类沟槽（250）或第三类沟槽（252）的正上方，深入到沟槽内的栅电极（205）中；第一接触孔中的第三类接触孔位于沟槽与沟槽之间，并深入半导体中，与第二导电型掺杂体区（216）和第一导电型掺杂源区接触； 第十二步：形成上表面金属（208）和下表面金属（209），形成器件。

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