北京燕东微电子科技有限公司温芳获国家专利权
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龙图腾网获悉北京燕东微电子科技有限公司申请的专利半导体器件的热氧化方法和制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823327B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210507480.5，技术领域涉及：H01L21/316；该发明授权半导体器件的热氧化方法和制造方法是由温芳;常东旭;陈鹏飞;墨京华;刘林兴;马月霞;盛凯悦;段荣芝设计研发完成，并于2022-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的热氧化方法和制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了半导体器件的热氧化方法和制造方法。该热氧化方法包括：在热氧化的升温阶段，执行至少一次升温氧化处理；在热氧化的降温阶段，执行至少一次降温氧化处理；在热氧化的恒温阶段，同时执行恒温氧化处理及热退火处理，其中，所述至少一次升温氧化处理、所述至少一次降温氧化处理和所述恒温氧化处理共同形成氧化层，所述热退火处理用于掺杂区的高温推结。该热氧化方法利用热处理的多个温度阶段组合执行多个氧化工艺以提高氧化效率，减少了热氧化的工艺时间，从而提高了产能。
本发明授权半导体器件的热氧化方法和制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的热氧化方法，包括： 在热氧化的升温阶段，执行至少一次升温氧化处理，所述至少一次升温氧化处理包括选自以下氧化工艺中的一种：干氧氧化和湿氧氧化； 在热氧化的降温阶段，执行至少一次降温氧化处理，所述至少一次降温氧化处理包括选自以下氧化工艺中的一种：湿氧氧化和掺氯氧化； 在热氧化的恒温阶段，同时执行恒温氧化处理及热退火处理， 其中，所述至少一次升温氧化处理、所述至少一次降温氧化处理和所述恒温氧化处理共同形成氧化层，所述氧化层的厚度为10000埃至25000埃，所述热退火处理用于掺杂区的高温推结； 所述至少一次升温氧化处理和所述至少一次降温氧化处理分别在所述升温阶段的高温区和所述降温阶段的高温区执行，所述高温区的温度范围大于900℃。
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