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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利二次谐波表征方法、基于其的表征光学系统及检测装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114577726B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210249154.9，技术领域涉及：G01N21/01；该发明授权二次谐波表征方法、基于其的表征光学系统及检测装置是由王然;李博;王磊;张喆;张昆鹏;赵泓达;岳嵩;张学文;张紫辰设计研发完成，并于2022-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本二次谐波表征方法、基于其的表征光学系统及检测装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种二次谐波表征方法、基于其的表征光学系统及检测装置，该二次谐波表征方法在待检测样品表面选取扫描点位之后，通过调谐基频光的波长从第一设定波长连续调谐至第二设定波长，且在每次调谐基频光的波长之后，均向扫描点位入射波长调谐后的基频光，并收集根据波长调谐后的基频光产生的二次谐波信号；然后根据收集的二次谐波信号，绘制二次谐波信号非线性光谱。通过二次谐波信号非线性光谱，能够得出该扫描点位在此扫描过程中的不同缺陷类型、不同缺陷类型的缺陷能级、以及不同缺陷类型所对应的基频光波长。并利用二次谐波对较低缺陷密度进行有效表征，且能够有针对性的提取待检测样品的相关参数，缩短提取器件相关参数耗时。

本发明授权二次谐波表征方法、基于其的表征光学系统及检测装置在权利要求书中公布了：1.一种二次谐波表征方法，其特征在于，包括： 步骤1：在待检测样品表面选取扫描点位； 步骤2：向所述扫描点位入射第一设定波长的基频光；所述基频光入射到所述待检测样品之后能够产生携带样品缺陷信息的二次谐波信号，且所述二次谐波信号沿着所述待检测样品表面反射出的光束方向射出； 步骤3：收集所述二次谐波信号； 步骤4：将所述基频光按照预设步进由所述第一设定波长连续调谐至第二设定波长；且在每次调谐所述基频光的波长之后，均向所述扫描点位入射波长调谐后的基频光，并收集根据所述波长调谐后的基频光产生的二次谐波信号； 步骤5：根据收集的所述二次谐波信号，绘制二次谐波信号非线性光谱； 所述方法还包括： 根据所述二次谐波信号非线性光谱，将强度超过第一预设阈值时的二次谐波信号所对应的波长作为扫描波长； 在所述待检测样品表面依次选取其他的扫描点位，并在每选取一个扫描点位之后，均采用所述扫描波长的基频光入射到该扫描点位，并收集根据所述扫描波长的基频光产生的二次谐波信号。

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