三星电子株式会社金镇南获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112289774B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010670130.1，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体器件是由金镇南;文光辰;李镐珍;姜泌圭;罗勋奏设计研发完成，并于2020-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且具有位于第一表面上并由第一隔离区限定的有源区；多个有源鳍，布置在有源区上，沿第一方向延伸，并且由第二隔离区限定，第二隔离区具有小于第一隔离区的第一深度的第二深度；掩埋导电布线，位于与所述多个有源鳍相邻的沟槽中，并且沿所述沟槽的延伸方向延伸；填充绝缘部分，位于沟槽中，并且设置在掩埋导电布线周围；层间绝缘层，位于第一隔离区和第二隔离区上，并且位于掩埋导电布线上；接触结构，穿透层间绝缘层，并且接触掩埋导电布线；以及导电贯通结构，从第二表面穿过衬底延伸到沟槽，并且接触掩埋导电布线。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括位于所述第一表面上并且由第一隔离区限定的有源区； 多个有源鳍，所述多个有源鳍布置在所述有源区上，沿第一方向延伸，并且由第二隔离区限定，所述第二隔离区具有小于所述第一隔离区的第一深度的第二深度； 掩埋导电布线，所述掩埋导电布线位于与所述多个有源鳍相邻的沟槽中，并且沿所述沟槽的延伸方向延伸，其中，所述沟槽的深度小于所述第一隔离区的所述第一深度，并且大于所述第二隔离区的所述第二深度； 填充绝缘部分，所述填充绝缘部分位于所述沟槽中，并且设置在所述掩埋导电布线周围； 层间绝缘层，所述层间绝缘层位于所述第一隔离区和所述第二隔离区上，并且位于所述掩埋导电布线上； 接触结构，所述接触结构穿透所述层间绝缘层，并且与所述掩埋导电布线接触；以及 导电贯通结构，所述导电贯通结构从所述第二表面穿过所述衬底延伸到所述沟槽，并且与所述掩埋导电布线接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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