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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利具有减少的电流拥挤效应的半导体MPS二极管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111725329B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010203662.4，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权具有减少的电流拥挤效应的半导体MPS二极管及其制造方法是由S·拉斯库纳;M·G·萨吉奥设计研发完成，并于2020-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有减少的电流拥挤效应的半导体MPS二极管及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及具有减少的电流拥挤效应的半导体MPS二极管及其制造方法。一种融合PN‑肖特基MPS二极管，包括：N衬底、N‑漂移层、漂移层中的P掺杂区域、P掺杂区域上的欧姆接触、在P掺杂区域内并且是没有P掺杂区域的漂移层的部分的多个单元、在欧姆接触上和在所述单元上的阳极金属化部，以分别形成结势垒接触和肖特基接触。P掺杂区域具有网格形状的布局，该布局将每个单元彼此分离，并且与单元一起限定MPS二极管的有源区。每个单元具有在四边形、具有圆化拐角的四边形和圆形之中的同一几何形状；并且欧姆接触在掺杂区域处沿网格形状的布局连续延伸。

本发明授权具有减少的电流拥挤效应的半导体MPS二极管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种融合PN肖特基MPS二极管，包括： 半导体衬底，具有N型导电性和第一掺杂水平； 所述半导体衬底上的半导体材料的漂移层，具有面对所述半导体衬底的底表面和与所述底表面相对的顶表面，具有N型导电性，并且具有低于所述第一掺杂水平的第二掺杂水平； P型导电性的掺杂区域，在所述顶表面处在所述漂移层中延伸； 欧姆接触，在所述顶表面处与所述掺杂区域直接电接触； N型导电性和所述第二掺杂水平的多个单元，在所述漂移层中在所述掺杂区域内、并且穿过所述掺杂区域延伸，并且面对所述顶表面，所述掺杂区域包括连续的网格，所述网格界定相对于所述漂移层的上部部分的所述多个单元，所述多个单元是四边形的单元的阵列，所述四边形的单元的阵列具有单元的行和单元的列，并且所述网格将所述单元的所述行彼此分离，并且将所述单元的所述列彼此分离；以及 在所述顶表面上的阳极金属化部，与所述欧姆接触接触、并且与所述单元接触，以便与所述掺杂区域形成结势垒JB二极管，以及与所述单元形成肖特基二极管，所述JB二极管和所述肖特基二极管限定所述MPS二极管的有源区，其中： 在俯视图中，所述掺杂区域具有界定所述多个单元的网格形状的布局； 每个单元具有在四边形、具有圆化拐角的四边形和圆形之中的同一几何形状；并且 所述欧姆接触在所述掺杂区域处沿所述网格形状的布局连续延伸。

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