硅存储技术股份有限公司林光明获国家专利权
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龙图腾网获悉硅存储技术股份有限公司申请的专利由闪存单元构成的EEPROM仿真器中的损耗均衡获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113299333B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010106388.9，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权由闪存单元构成的EEPROM仿真器中的损耗均衡是由林光明;钱晓州;皮小燕;V·蒂瓦里;P·丁设计研发完成，并于2020-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本由闪存单元构成的EEPROM仿真器中的损耗均衡在说明书摘要公布了：本发明题为“由闪存单元构成的EEPROM仿真器中的损耗均衡”。本发明涉及用于在模拟EEPROM的闪存装置中实现损耗均衡的系统和方法。实施方案利用索引阵列，该索引阵列存储仿真EEPROM中的每个逻辑地址的索引字。每个索引字中的每一位都与仿真EEPROM中的物理字的物理地址相关联，并且索引字跟踪哪个物理字是特定逻辑地址的当前字。使用索引字可实现损耗均衡算法，该算法允许对逻辑地址的编程命令，这导致：i如果存储在当前字中的数据不包含与要存储的数据中的“0”相对应的“1”，则跳过编程操作，ii在某些情况下对当前字的一个或多个位进行重编程，或者iii在某些情况下转移到下一个物理字并对其进行编程。
本发明授权由闪存单元构成的EEPROM仿真器中的损耗均衡在权利要求书中公布了：1.一种具有损耗均衡的EEPROM仿真系统，包括： EEPROM仿真阵列，其包括非易失性存储器单元阵列；和 损耗均衡模块，其耦合到所述非易失性存储器单元阵列，并被配置为： 接收编程命令、写入数据和逻辑地址； 基于所述逻辑地址和索引位读取当前字，其中所述当前字位于所述非易失性存储器单元阵列中的非易失性存储器单元的物理字的扇区中，字的所述扇区对应于所述逻辑地址，并且包括第一物理字、最后物理字以及所述第一物理字和所述最后物理字之间的一个或多个物理字； 当所述写入数据对于所述当前字中为“1”的位不包含“0”时，跳过编程操作； 当所述写入数据对于所述当前字中为“1”的位包含“0”，并且所述当前字是所述扇区中的所述最后物理字时，将所述写入数据编程到所述当前字中；以及 当所述写入数据对于所述当前字中为“1”的位包含“0”，并且所述当前字不是所述扇区中的所述最后物理字时，将所述写入数据编程到下一个字中。
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