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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利一种发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000266B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210536824.5，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种发光二极管是由王锋;何安和;夏章艮;詹宇;彭康伟;林素慧设计研发完成，并于2019-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光二极管在说明书摘要公布了：本发明提供如下发光二极管，其包括透明衬底，透明衬底的第一表面包括半导体发光序列覆盖的第一区域以及第二区域；半导体发光序列包括第一导电型半导体层、发光层以及第二导电类型半导体层，第一导电型半导体层一表面具有发光层和第二导电型半导体层覆盖区域以及第一电极电连接区域；绝缘介质层，覆盖半导体发光序列，并且具有第一开口和第二开口；半导体发光序列的周边沿着一环绕方向依次包括为第一、第二、第三和第四边缘；所述透明衬底第一表面的第二区域在半导体发光序列的第一、第二、第三和第四边缘周围分别具有W1、W2、W3和W4四个宽度；第一电极电连接区域位于部分的第一边缘以及部分的第二边缘，W1大于W3。

本发明授权一种发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其包括：透明衬底、半导体发光序列、绝缘介质层、第一电极和第二电极； 透明衬底，具有第一表面，所述第一表面包括内部的第一区域以及外围的第二区域； 半导体发光序列，包括自透明衬底的第一表面堆叠的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，覆盖所述透明衬底第一表面第一区域； 第一导电型半导体层的一表面包括：发光层和第二导电型半导体层覆盖区域以及第一电极电连接区域； 绝缘介质层，至少覆盖所述半导体发光序列，并且具有第一开口和第二开口； 第一电极和第二电极，分别通过第一开口和第二开口电连接第一导电型半导体层以及第二导电型半导体层； 自第二导电型半导体层俯视，半导体发光序列的周边沿着一环绕方向依次包括为第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘； 所述透明衬底第一表面的第二区域在所述半导体发光序列的第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘周围分别具有四个宽度，定义为W1、W2、W3和W4； 其特征在于：所述第一导电型半导体层的第一电极电连接区域位于部分的第一边缘以及部分的第二边缘，所述W3介于0~20微米之间或者W4介于0~20微米之间；W2大于W4。

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